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Photoresist bilayer S18xx + LOL 1000 for < µm UV lithography
Photoresist bilayer (S18xx or AZ5214E) + LOL 2000
Projets
Détecteurs cryogéniques
.Cahier de manip mai 2013
.Echantillons en cours de fabrication
.NbSi Propriétés
.Process CTU Minerve
Gravure
CH3 CHF4 etch
Gravure profonde Si par KOH
Protection de la face avant lors de la gravure profonde Si au KOH
O2 etch
XeF2 etch
Litho AZ5214 sur SOI
Litho LOL2000
Photolithographie
Double Beta_Claudia
Lucifer
Lucifer_01
Lucifer_02
Lucifer_03
Saphir f20h20
Edelweiss
Ge_32
Ge32 IPNL-1
Ge32 NbSi2
Meandres Ge 44
EDW M01
EDW M02
Lumineu
Lumineu effet Luke
Lumineu_02
Lumineu_03
Lumineu_04 : Rupture Ge
Lumineu_05 : Pb adhérence NbSi
Lumineu_06 : Pb adhérence NbSi
Lumineu_07
Lumineu_08
Lumineu Meandres
Lumineu M01 : cassé
Lumineu M02 : cassé
Lumineu M03
Lumineu M04 : plus de Tc
Lumineu M05
Lumineu M06
Lumineu M07
Lumineu M08
Lumineu M09 : cassé
Lumineu M10 :
Lumineu M11
Lumineu M12
Lumineu M13
Wafers Découpés
Lumineu 80p_01
PTA Institut Néel
PTA 262
PTA 268
QUBIC250
Biblio
Composite infrared bolometers whith Si3N4 micromesh absorbers
Measurements of thermal transport in low stress silicon nitride films
Choix technologiques - Historique
QUBIC grille TiV
QUBIC tests divers (membranes-Routage-grille)
QUBIC M 1
QUBIC M 2
QUBIC M 3
QUBIC_Test1
QUBIC_Test2
QUBIC_Test3
QUBIC_Test4
QUBIC_Test5
QUBIC_Test6
Test_Ti_IEF1
Test Ti_IEF2
QUBIC250_Méandre
M_01 : mesuré, puis cassé
M_02
M_04 : mesuré pb évap NbSi
M 04 obs
M_10 : Dead après NbSi
M_21
QUBIC250_Peigne
Conductivité thermique de la membrane
P _41 - P_81
P 41 : NbSi-Al bilayer
P 42
P 43
P 44
P 45
P 52
P 53
P 54
P 55
P 56
P 57
P 58
P 59
P 60
P 61
P 62
P 63
P 64
P 65
P 66
P 67
P 68
P 69
P 70
P_01 - P_40
P 01 : Design1 Routage : Invalidé
P 02 : Pause avant ouverture KOH
P 03 : Pause avant ouverture membranes
P 04 : 330mK : Pause avant dépôt TiVa
P 05 : 580mK : Pb évap NbSi
P 16
P 17
P 20 : Pb contact Alu
P 30 : Pause, possible reprise des pistes
P 31 : Dead après lift Nb
P 32
P 33
P 34
P 35 : R(T) Pathologiques
P 36
P 37
P 38 NbSi-Al bilayer test
P 39 NbSi-Al bilayer
P 40 : test tranchée Si
P_82 - P_92
P_82
RedBull
Saphir 20x30_1
Saphir 20x30_2
Saphir 20x30_3
Saphir 20x30_4
RX
Préparation Run 35
RX_23 pixel
RX_09
RX_10
Rx_2mm
.Rx 2mm Info Design & Masques
Rx_04
Rx_05
Rx_06
Rx_12
Rx_13
Rx_14 (Iridium)
Rx_15 (Iridium)
SUCRE
Ge 44mm Test 3
Ge 44mm Test 4
Ge100_1
Saphir 20x30 Test 1
Saphir 20x30 Test 2
Saphir 20x30 Test 3
Saphir 20x30 Test 4
Si 2p 45A 1
Si 2p 60A 1
Double Beta
Light detectors
ELI (photodiode)
GeCo1
GeCo2
GeCo3
GeCo3_bis
light detector - il brutto
light detector - il cattivo
LUMINEU 10
LUMINEU 11
LUMINEU 12
OLD (photodiode)
Prebolo 325
Prebolo 326
SiFID1
Lithography
SID1 - fabrication
Mounting recipes
NTD thermistors
Scintillating detectors
CdS
LMO enriched phi44x40
Mesoscopic Superconductivity
Quantum Phase Slips
2012-07
2013-11
2014-04
Propriétés fonda de NbSi
Bilans
Delahaye-Grenoble
Echantillon à effet de champ
Effet de champ_01
Effet de Champ_02
Effet de Champ 03
Effet de Champ 04
Effet de Champ 05
Page temporaire
Quantum Detectors
Field NbSi
KIDS
2012-07
2013-03
2013-09
2013-11
2014-09
2014-10
2014-11
2014-12
2015-01
2015-03
2015-05
2015-11
2016-05
2016-10
2016-11
2016-12
2017-10
2018-01
2018-02
CR visio-conférences
RF Cooper Pair Box
.Cahier Fabrication
#_Samples
BPC2
BPC2v2 6
BPC2v4 2
BPC2v4 6
BPC5
BPC6
BPC6_42
BPC6_52
BPC6_61
BPC6_62
BPC6_71
BPC6_72
BPC7
BPC8
BPC9
BPCT9_22
BPCT9_32_42_61
2011-12
2012-07
2013-05
2013-06
(temporaire) bilan tests de dose
2013-07
2013-11
2013-12
2014-01
2014-02
2014-03
2014-04
2014-05
2014-08/09 (test samples)
2014-09
2014-10
2014-11
2014-12
2015-01
2015-02
2015-11 (new design)
2016-01
2016-02
2016-03
2016-04
Al2O3 etching to make contact
Al2O3 with RIE O2
Al-X / AlOx / Al junctions
JJ fab sheet n°1
JJ fab sheet n°2
Nb-Al / AlOx / Al junctions
WJOX1_17
WJOX1_18
WJOX1_20
WJOX1_21
WJOX1_22
WJOX1_23
reproducibility tests with Pief
Capping layers for Al
Comsol Simulations
Dry etch
Established litho steps
Lithography Masks
Measurement Setup
Useful Calculations
resist bi-layer calculations
What needs be developped
What you should care about
Si:B RF properties
samples
2014-05 RfSiB1
2015-11 RFSiB4
2016-11 RFSiBlamv3 1
20161221_B RF Si:B
20161221 D témoin de 20161221 B
PB171025_B
PB180110 A
Transport in 2DEG (as an example)
DCB - 2 Conducteurs Coherents
2010-04
2010-05
2010-06
2010-07
2010-08
2010-09
2010-10
Etapes litho élec
Résistance de Cr en couche mince
Simulations COMSOL
Géométries DCB 10/2008
Géométries standards
Relax
Relax s500 January 08
Al mask problem
Dose Test 1
Dose Test 2
S500's characteristics
TQ 2DEG database
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