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2016-11 RFSiBlamv3 1
2016-11 RFSiBlamv3 1Edit

    Sommaire
    aucun titre

    Ref. PB_161121_B

    Wafer

    Date orientation resistivity dopant oxide layer ref. fabricant fournisseur
          intrinsic no    

     

     

    2*2cm2
    675µm

    Doping (IEF le 24/11/16)

    3 RF chips containing 3 resonators of different couplings (left :  ; middle : diagonal, 6.3k ; right: )

    depth shot number
    30 ns (67 nm) 200
    47 ns (80 nm) 160
    90 ns (147 nm) 200

     

    Processing 
    1st step: SiB patterns     (IEF le 1-2/12/16)

    - S1813
    - Litho laser: fichier 04_sigec_nov16_v3_L3_INV.job ; tête 4 mm; E = 70 %, filtres 30%x10%; defoc 2000
    - RIE (CHF3, SF6, O2): 270 nm (dektak)

    2nd step: Al feedline

    - S1813
    - Litho laser (IEF le 5/12/16): fichier 2016_01_SiB_lambda2_v3b.gds ; tête 4 mm; E = 70 %, filtres 30%x10%; defoc 2000
    - Evap + lift (SPEC le 14-15/12/16): 
        Etch 500V 5mA 5s
        Evap Ti 5nm @ 0.5nm/s
        Evap Al 150 nm @ 1nm/s

    - dicing with protection (IEF) : 

    Measurements (CSNSM)

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