20161221_B RF Si:B

20161221_B RF Si:BEdit

Ref. 20161221_B

Wafer

p-Si

2*2cm2
from 2'' wafer

croix d'alignement faites depuis au moins juillet

Doping (IEF le 21/12/16)

3 RF chips containing 3 resonators of different couplings (left :  ; middle : diagonal, 6.3k ; right: )

Processing 
1st step: SiB patterns (IEF le 22/12/16)

- S1813
- Litho laser: fichier 04_sigec_nov16_v3_L3_INV.job ; tête 4 mm; E = 70 %, filtres 30%x10%; defoc 1900

- RIE (IEF le 16/01/17) (CHF3, SF6): 280 nm (dektak)

Measurements (IEF)

Check resistance : 4probes mesurement at room temperature (IEF le 16/01/17) 

2nd step: Al feedline (IEF le 17-18/01/17)

- S1813
- Litho laser (IEF le 5/12/16): fichier 2017-01_SiB-lambda2_v4.gds  -> 04_sigec_ jan17_v4_alu_INV.job ;

     tête 4 mm; E = 70 %, filtres 30%x10%; defoc 1900

- Evap (SPEC le 20/01/17): 
    Etch Ar 500V 5mA 5s
    Evap Ti 5nm @ 0.5nm/s
    Evap Al  100nm @ 1nm/s

- lift-off (IEF le 20/01/17)

- dicing with protection (IEF le 20/01/17) 

Measurements (CSNSM)

Montage sur les portes échnatillons DC et RF les 23-24/01/17 au SPEC