PB180110 A

PB180110 AEdit

Objectifs

Mesure complète de la dépendance des résonnances en fonction de la largeur des résonateurs.

Résonateur lambda/4 side-couplé à une ligne de transmission en alu. Forme du coupleur toujours identique (sauf resonateur de 1µm)

-> Changement par rapport à PB171025_B : coupleur en alu (et non pas en SiB) + test d'un nouveau couplage.

Fabrication

Wafer

p-Si

2*2cm2
from 2'' wafer (300µm)

lot 2451_2b

croix d'alignement faites le ... par litho laser 

Doping (IEF le 10/01/18)

Uniquement 30ns 200t

_______________    OLD  _____________________

Processing 
1st step: SiB patterns (IEF le 12/12/17)

- S1813 4000rpm 30s - 115°C 1min30s
- Litho laser:

3 chips séparée, dessin tourné de 90° pour suivre axe Y litho laser.

chip1 = fichier 04_sigec_res17_11_SiB_1.job , chip2 = fichier 04_sigec_res17_11_SiB_2.job , chip3 = fichier 04_sigec_res17_11_SiB_3.job ; layer 3+5 inversée

tête 4 mm; E = 75 %, filtres 30%x10%; defoc 1900 ; 

MF-319 28s ; EDI 1min30s

- RIE STS :

CHF3 50sccm, SF6 5sccm, 20mTorr, 140W

2nd step: Al feedline (IEF le 12-13/12/17)

- S1813 4000rpm 30s - 115°C 1min30s

- Litho laser: 

3 chips séparée, dessin tourné de 90° pour suivre axe Y litho laser.

Layer 2+4+6 inversée 

tête 4 mm; E = 75 %, filtres 30%x10%; defoc 1900 ; offset(13,-24.5)

MF-319 28s ; EDI 1min30s

- Evap (SPEC le 20/01/17): 

    Etch Ar 500V 5mA 5s (À VÉRIFIER)
    Evap Ti 5nm @ 0.5nm/s (À VÉRIFIER)
    Evap Al  200nm @ 1nm/s (À VÉRIFIER)

- lift-off (SPEC le 14/01/17)

Remover 20 à 30min

- chip clivée par Hélène (SPEC le 14/01/17) 

Measurements (CSNSM)