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Physol Nano-Fab > Projets > Si:B RF properties > samples > 20161221 D témoin de 20161221 B
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20161221 D témoin de 20161221 B
20161221 D témoin de 20161221 BEdit

    Sommaire
    aucun titre

    Ref. 20161221_D

    Wafer

    p-Si

    Date orientation resistivity dopant oxide layer ref. fabricant fournisseur
      100 80 Ohm.cm   no    

     

     

    2*2cm2
    from 4'' wafer

    croix d'alignement faites depuis au moins juillet

    Doping (IEF le 21/12/16)

    depth shot number
    30 ns (67 nm) 200
    47 ns (80 nm) 160
    90 ns (147 nm) 200
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