2013-05

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27/05/2013

Wafer BPCD3

wafer 2" 150nm Nb réalisé par Louis le 25/7/2012 (sur wafer Si standard)
On a privilégié ce wafer car problème d'accroche du Nb lorsque 50nm visible lors du Bounding..
Nettoyage aceton + US
Bake 110°C 2'
Spin MaN 1000rpm 60"
Raté renettoyage aceton, respin,
Bake 110°C 1'30 (NB: nominalement, 90°C mais augmenté un peu car Philippe a vu des problème d'adhésion au moment du développement, résolus par augmentation de la température de recuit)

28/05/2013

Découpe scriber 3x10mm: à peu près la moitié du wafer
Attention l'outil de réglage de la pointe diamant à 30° ne règle pas correctement (les traits de découpe sont absents / trop légers) -> moralité, on foire 1/4 du wafer avant de régler correctement (suspectait la pointe diamant mais après observation bino, semble correcte).

Ech BPC1_res1
- Litho e-line: REPREND PARAMETRES PJ: dose 200µC/cm2 @25keV + dev MIF 826 1'
aperture 120µm, 4.51nA, champ 250x250
Reprise en main laborieuse. Oublie le align writefield...

29/05/2013

- dev MIF 826 1' @19°C + stop ODI 30"
Motifs un peu arrondis (surexpo? surdev?)
Raccords de champ OK (un peu trop de recouvrement), malgré absence d'align writefield: repris paramètres enregistrés précédemment sur session PJ pour le même champ (250x250µm), meme diaphragme donc a priori même courant.
evap Al 60nm @1nm/s (vieux canon) 
lift aceton + US  OK ~1'
obs MEB:

MEME CHOSE EN RESINE POSITIVE:
Strip le MaN de la 2è moitié du wafer (aceton + US)
Bake 110°C 2'
Spin PMMA A6 3000rpm 60"
Raté renettoyage aceton, respin, on a des inclusions dans la couche de Nb
Bake 175°C 10'
decoupe scriber 2 echantillons 3x10mm

Ech BPC1_res2
- Litho e-line: sans Align writefield: raté...
Sinon dose 250µC/cm2, OK pour gros motifs, sous-expo pour motifs arrivée gates (~qq µm)
Dev MIBK neuf de bouteille 45" + 30" stop IPA.

30/5/2013

POUR TESTS DE DOSE
Spin bilayer épais MMA-8.5-MAA x2 / PMMA A3 sur wafer Si standard:
- MMA-8.5-MAA EL 10: 
    spin 2000rpm 60" (+ 2"@8k),
    bake 5' @ 175°C
- bis
- PMMA A3:
    spin 4000rpm 60" (+ 2"@8k),
    bake 15' @ 175°C (32', est allé salle litho)
-couche de protection UVIII 0.5
   spin 4000rpm 60"
   bake 60" @ 140°C

-Découpe Scriber 10 echantillons 5x5 mis dans boite noire

/!\ echantillon inconnu dans l'armoire. Echange de wafer ?

POUR RESONATEURS
- Litho e-line sur Nb+PMMA A6: Ech BPC1_res3
250µC/cm2, champ x400-250µm, diaph 120µm, I=4.61nA, WD=10mm
align writefield exécuté sur Chessy à WD=10mm, en automatique jusqu'à 1µm, jusqu'à ce que les paramètres ne changent plus. Facteur de zoom 1.002 pour overlap de champs.
dev MIBK pas neuf 45" + 30" stop IPA
OK (un tout petit décalage de writefield, qui semble venir de ce que l'échantillon était un peu tourné et la litho aussi -> c'est plus sain si on arrive à s'aligner sur les axes de la platine à mieux que qq 0.1°)

31/05/2013

Ech BPC1_res3
RIE CF4/Ar 20/10, 50µb, 50W -> ~188V
3'50. Reste Nb, et PMMA. Mesure marche 350nm (avant 500nm) -> sain
+ 2'10. Voit la fin des franges d'interférence (sur PMMA)
Ne reste plus de PMMA. Mesure marche 160nm.
Strip PMMA restant aceton + US + rinse IPA

Observation au microscope de défauts (shunt à la masse de la ligne de transmission) probablement lié aux conditions de clivage qui ont dégradé la couche de PMMA -> judicieux de mettre une couche de protection sur les échantillons avant le clivage

passage a la station de testeurs sous pointes. Shunt et reste probablement un peu de Nb au niveau des gaps (resistance de qq kOhms entre piste centrale et gap)
reprocess 1' à la RIE
Tentative de sauvetage de l'échantillon en grattant avec fil de tungstene .. Pas concluant pour l'instant. Echantillon laissé en l'état

Ech BPC1_res4
Litho electronique 250µC/cm2, champ x400-250µm, diaph 120µm, I=4.55nA, WD=10mm
align writefield exécuté sur Chessy à WD=10mm, en automatique jusqu'à 1µm
Facteur de zoom 1.002 pour overlap de champs
dev MIBK pas neuf 45" + stop IPA 30"
pas de décalage writefield mais poussieres apparues sur l'échantillon probablement lors du passage au développeur. Ech peut etre un petit peu sous développé pour les motifs fins
Passage de l'échantillon dans bain d'éthanol + ultrason.
Retiré les poussieres mais rupture des lignes au niveau de celles ci ..

Ech BPC1_res2 & Ech BPC1_res4
Passage bain acétone pour retirer résine
Spin PMMA A6 2000rpm 60" + 8000rpm 2" (tentative pour virer les bords)      (normalement thickness>400nm)
Baking 10' @ 175°C
Remarque des "filaments" et des marques semblables à celles observées apres le clivage sur l'échantillon BPC1_res2

Ech BPC1_res4
Litho electronique 270µC/cm2, champ x400-250µm, diaph 120µm, I=4.63nA, WD=10mm
align writefield exécuté sur Chessy à WD=10mm, en automatique jusqu'à 1µm
Facteur de zoom 1.002 pour overlap de champs
échantillon laissé dans le masqueur pour le weekend