2010-08

2010-08Edit

lundi 02/08/2010

- Clivage échantillons test 4 fils lithographie 30/07/10. Ecart parfait pour le scriber
- Problème sur l'e-gun du Plassys. Pas d'évap de chrome possible pour l'instant
- 17h45 : evap disponible (problème sur eau de refroidissement). Chargement  1 échantillon Cr litho 22/07/10. Pompage sas P<1.5 e-6 mbar. Pompage chambre P<1.5e-7mbar.
- Getter 20 nm P<5e-8 mbar après
- dépôt 7 nm @ 0.2 nm/s (process 100658) (crystal 1 : 5.894 MHz) (courant e gun sensiblement identique à celui pour 0.1 nm/s ... 80mA au lieu de 77 mA)
- lift-off 1min trichlo chaud : reste pas mal de résine non retirée au centre. +10" US dans trichlo froid : OK
- Contraste à l'optique bon

mardi 03/08/2010

- mesure 4 fils résistance (pas tous mesurés, pas mal de déchets)
02/08/10 7nm @ 0.2nm/s, 0.1x40: 170kΩ±1kΩ (4 échantillons)
02/08/10 7nm @ 0.2nm/s, 0.05x40:  350kΩ±10kΩ (4 échantillons)
- 8h45 : Chargement  1 échantillon Cr litho 22/07/10 et 1 échantillon Cr litho 30/07/10. Pompage sas P<1.5 e-6 mbar. Pompage chambre P<8e-8mbar.
- Getter 20 nm P<5e-8 mbar après
- dépôt 9 nm @ 0.2 nm/s (process 100659) (crystal 1 : 5.890 MHz) (courant e gun 80mA )
- lift-off ech 22/07/10 1min trichlo chaud : reste pas mal de résine non retirée au centre. +1 min dans trichlo chaud : OK
- lift-off ech 30/07/10 2 min trichlo chaud : OK
- mesure 4 fils résistance (pas tous mesurés, pas mal de déchets)
03/08/10 9nm @ 0.2nm/s, 0.1x40 litho 22/07/10: 127kΩ±3kΩ (6 échantillons)
03/08/10 9nm @ 0.2nm/s, 0.05x40 litho 22/07/10:  300kΩ±15kΩ (2 échantillons)
03/08/10 9nm @ 0.2nm/s, 0.1x40 litho 30/07/10: 92kΩ±3kΩ (5 échantillons)
03/08/10 9nm @ 0.2nm/s, 0.05x40 litho 30/07/10:  170kΩ±3kΩ (3 échantillons)
Il faut que je trouve quelqu'un pour les observer au MEB pour voir s'il y a une vraie différence de largeur !
- MEB S4800 (formation par Edmond)
03/08/10 9nm @ 0.2nm/s, 0.1x40 litho 22/07/10: w=100±2 nm
03/08/10 9nm @ 0.2nm/s, 0.05x40 litho 22/07/10:  w=51±3 nm
03/08/10 9nm @ 0.2nm/s, 0.1x40 litho 30/07/10: w=120±2 nm
03/08/10 9nm @ 0.2nm/s, 0.05x40 litho30/07/10:  w=72±3 nm

mercredi 04/08/2010

- Observation optique
nouvel échantillon test litho 22/07/10 : fil_100nm_G100.jpeg. w=4.12 pixels
P714#2 étape de litho pour le chrome : P714#2etapechrome_G100.jpeg. w=4 pixels
- Chargement échantillon test litho 22/07/10 Psas<1e-5 mbar, P<1.5e-7 mbar
- Cr getter 20 nm P<4.2e-8 mbar
- dépôt 8nm @ 0.2 nm/s (process 100673) (crystal 1 : 5.702 MHz)
- lift-off 2 min trichlo chaud : à moitié OK
- Mesure 4fils résistances
  04/08/10 8nm @ 0.2nm/s, 0.1x40 litho 22/07/10: 121kΩ±3kΩ (3 échantillons)
 04/08/10 8nm @ 0.2nm/s, 0.05x40 litho 22/07/10: 240kΩ±3kΩ (6 échantillons)

- processing P714_dcb#1

- Chargement dans l'évap. Sas pompé P<1.5 e-6 mbar
- rapidement P=5e-8 mbar dans la chambre mais j'attends 20 min pour que le dégazage soit équivalent au niveau du masque.
- Cr getter 20 nm P<3e-8mbar
-dépôt 7.5nm @ 0.2 nm/s (process 100674) (crystal 1 : 5.698 MHz) (épaisseur censée corrigée du rapport d'aspect observé à l'optique et aussi avec le retour d'exp de 050c07)0
- lift-off 4 min trichlo chaud : OK sauf pour cellule (2,3) (RKsur2 : film au centre n'est pas parti, je n'ose pas mettre d'US car les 7 autres sont OK et Fred m'a dit que c'était pas génial pour les gaz.)
- spin PMMA 50 g/L 5000 trs/min (epaisseur attendue 800 nm). Recuit 30 min. Tournette erreur 015 apres fermeture capot et ne se met pas a tourner : c est le moment de taper fort sur le capot.
- collage échantillon au PMMA

- Observation AFM pour test de gravure du Cr (avec Noelle qui me formera en septembre si besoin est)

- 020810-7nm : mesure a 8.1 nm
- 030810-9nm : mesure a 10 nm
- 040810-8nm : mesure a 8.9 nm
Conclusion : j ai mis ce matin (en prenant en compte une erreur systématique de +1 nm) 8.5 nm de chrome sur p714_dcb#1

Jeudi 05/08/2010

-Expo  P714_dcb#1, etape reprise de contacts grande echelle (n°6) (job DCB_gateGE_150 nm ou none est coche pour l histoire des hauteurs se plaint seulement pour la grande echelle 34 et 33 pour certains blocks qui correspondent aux blocs ou le substrat est abime. Si j avais coche check, il se serait arrete d insoler. )

dose 1000
alignement
dev 60" + rinçage IPA 10"

lundi 30/08/2010

- Test reprise de contact sur Cr

- mesure 4 fils résistance
02/08/10 7nm @ 0.2nm/s, 0.1x40: 175kΩ (1 échantillon)
02/08/10 7nm @ 0.2nm/s, 0.05x40:  360kΩ (1 échantillon)

- Test IBE 500V 150 mA
1ere fois 18 s (I anode = 14 mA) erreur Ion start gun au bout des 18 s (étrange)
2eme fois (meme vide) 30 s (I anode =14 mA)

- mesure 4 fils résistance
02/08/10 7nm @ 0.2nm/s, 0.1x40: 184kΩ (2 échantillons)

- Process P714#1

-IBE 500V 150 mA 30 s
- Cr getter 20 nm
- dépot Cr 5nm @ 0.5 nm/s
- dépôt Au6 300 nm @ 2 nm/s
-lift off triclo chaud, acétone, isopropanol
- mesures: