2010-05

2010-05Edit

lundi 03/05/2010

Process sur S438 litho optique micro ohm
Evap 05OC07_dcb#1 + 05OC07_micro + S438_micro: type Harvard adapté LPN
lift un peu difficile (sonication niv 2, 2')
recuit 1' @ 420°C sans pallier (recette DOM)

mardi 04/05/2010

Complètement merdé au moment de spinner le PMMA pour litho mesa sur 05OC07_dcb#1!!!
échantillon foutu cassé poubelle.
-Processing P714_dcb#1

refait même contact ohmique Harvard, avec témoin OC-macro
lift un peu difficile (sonication niv 2, 2')
recuit idem 03/05
litho mesa : problème au moment motifs gros, 100nA: doit passer contraste à 99 pour que détecte croix

-Processing 05OC07_dcb#2

litho croix alignement RAS

-étape litho optique reprise contact sur 05OC07_micro et S438_micro: tout se passe bien sauf que je perds 05OC au moment de soufflette (faut dire qu'il fait 1mm2!!, et qu'il y a 5 personnes dans la salle de litho optique donc impossible de le retrouver)
-evap Ti/Au sur S438_micro: etch 20'' @250V + 10nm Ni + 30nm Au _ casse vide _ + 250nm Au (dépot par Anthony)

mercredi 05/05/2010

-Processing P714_dcb#1

evap Al : 30nm @ 2nm/s. Lift parfait sonication niv1, 2".
verif hauteur de marche au DekTac. OK
etch mesa (solution préparée le 04/2010 conservée au frigo): 50nm/min
1' -> hauteur = 87nm
+ 1' -> hauteur = 140nm
+30"
Retrait Al : 30" NaOH 0.25mol/L. Aucun résidu visu au microscope
hauteur finale mesa:

-Processing 05OC07_dcb#2

evap Ti/Au 10/200nm. Lift parfait.
spin PMMA + expo COhm

-tests de doses pour les grilles (étape suivante de P714_dcb#1)

ech AsGa nettoyé aceton
spin PMMA 15g/L 5000rpm 30", recuit 40' (le temps de se faire former sur le logiciel beamwriter)
expo layer 49 (avec grilles + chrome), 1nA, dose départ 600, step 100, matrice 4x4.
dev 30" dans MIBK frais (solution préparée le 05/05/2010 par moi même), rinçage 15" IPA
evap Al 30nm @ 2nm/s. Lift parfait, resté 40' trichlo chaud, pas de sonication, juste la seringue en 1 coup.

-Process S438_micro

lift: sonication 2' niveau 4. RAS
test résistances de contact @300K, mesure 4 probe (dans prog LN-test ohm):

moralité ça va plutôt bien en relatif jusqu'à 2µm et 1µm est vraiment limite... (NB: d'après géométrie, tous les échantillons devraient avoir la même résistance, cf technique micro contacts )
impossible de savoir la valeur absolue de la résistance de contact car connait pas la résistivité de la couche. (typ. 2DEG densité 2e11 = 100Ω/carre)

jeudi 06/05/2010

-observation test doses

MEB S4800, 10kV, 15µA extraction. High mag, WD=7mm.
Motif commence à sortir à partir de 900, par contre, l'écartement entre pads n'est pas nominal ni la largeur des pistes.

l'éventail de doses pour lesquelles ça sort bien est très large, par contre, il faut modifier le dessin car effet de proximité entre les grilles adjacentes, et résidus qui peuvent court-circuiter les grilles dans 50% des cas.

-Processing 05OC07_dcb#2

evap CO harvard avec etch 20", 500V 150mA. Lift parfait sans US, seulement seringue. durée ~30'.
recuit 420°C 1'.
spin PMMA 40g/L + recuit 2' + expo mesa + dev 45" et rinçage IPA 15".
evap 30nm Al @ 2nm/s. Lift OK, mais faut US 4' niv 2 pour virer résidus résine entre pattes du mesa.
verif hauteur de marche avec alpha step IQ → 45nm
etch 2' → 165nm
vire Al 1' NaOH 0.25mol/L → 120nm... consistant!

-Processing P714_dcb#1

spin 15g/L 5000rpm + recuit 37'.

vendredi 07/05/2010

-Processing 05OC07_dcb#2

spin 15g/L 5000rpm + recuit 32'.

-Expo P714_dcb#1 et 05OC07_dcb#2

dose 1300,
fichiers 150nm sur P714, et fichiers 200nm sur 05OC07.
alignement 3è croix en y.
dev 30" + 30" IPA.
Alignement a l'air très bon, vérif sur 05OC07 sur échantillon (1,4) et (3,1) (les deux extrêmités)

lundi 10/05/2010

-Processing 05OC07_dcb#2 et P714_dcb#1

evap 30nm Al @ 1nm/s dans BEL310 avec creuset perso rerempli.
lift-off:OK. Pas d'observation au MEB subsequente, mais observation optique, litho semble très bien alignée sur toute la longueur. Observation rapide aux coins de 05OC07#2 au S4800 en juin -> OK. (photos)

Spin PMMA 15g/L 5000rpm, 30". Recuit 1h.

-Processing echantillon AsGa test pour résistances de Chrome

Spin PMMA 15g/L 5000rpm, 30". Recuit 1h.
ligne de 200 carrés 0.1x20µm, plots de contact 100x100µm : fichier test-chrome.gds
expo @ 1nA dose 1300, et dose habituelle sur plots de contact

-tests evap Cr

1- masque mécanique composé de lignes de 490µm±20µm de large et 41500µm±300µm long,
soit 84 ± 4 carrés. (mesure de la longueur à la règle, et de la largeur à l'alpha step IQ, dans l'incertitude en largeur il faut tenir compte du défaut de plaquage du masque mécanique sur l'échantillon)
-nettoyage préalable de la source de Cr , car elle a été remise à l'air le week end, ce qui permet également de diminuer le vide de l'enceinte: evap ~40nm (sans ouvrir le shutter!)
-20nm @ 0.5nm/s, P=8e-8 initialement, et remonte vers 1.5e-7 durant evap (dégazage Cr, encore...).
(Process 100373)
-épaisseur réelle de 23nm±2 (mesure en 5 points à l'alpha step IQ)
-les mesures fait en 2 pointes en essayant de se mettre le plus possible en bout de piste donnent en moyenne 12.7kΩ±1.1kΩ , soit au final une R_carre = 151Ω±16Ω.
la mesure n'est pas très reproductible car les pointes abiment la surface de Cr, donc mauvais contact -> faudrait faire du 4 fils, mais on n'en est pas à cette précision.

2- avec litho fil unique 100nmx20µm soit 200 carrés, connecté à gros pads 100x100µm:
-clean Cr et Ti -> ne change pas beaucoup le vide qui reste vers 2e-7; vide moyen car formation charge d'Ag qui a dégazé à mort juste avant.
-evap 10nm @ 0.5nm/s , avec attente 8e-8 pour lancer process. (laissé pour la nuit)(Process 100374)

mardi 11/05/2010

-Le lendemain matin, vide super clean, ça va être moins pénible à pomper.
-Charge 2è échantillon identique.
-clean 20nm Cr -> vide à 4e-8!
-evap 5nm @ 0.5nm/s (Process 100375)
-lift les 2 tests dans US.

mercredi 12/05/2010

-épaisseurs vérifiées à l'apha step IQ: OK, mais mauvaise précision sur la mesure. Faudrait faire ça à l'AFM.
-tests rapides résistance sur les deux échantillons test Cr (10nm et 5nm)
contacts très instables, irreproductibles
73 à 190kΩ avec un pic à 84kΩ pour 5nm
25 à 150kΩ avec un pic à 35kΩ pour 10nm
faudrait faire la mesure 4 fils, mais je dois préparer une conf pour la semaine prochaine...

mardi 25 - mercredi 26/05/2010

-tests 4 fils résistance sur les deux échantillons test Cr (10nm et 5nm)
contacts très instables au départ, puis se stabilisent avec le temps. Reproductible.
procédure: il faut poser les pointes (délicatement of course, réglage de force au min sur les pointes Zeiss réglables)
puis actionner l'interrupteur de lumière ou un autre truc du genre pour induire des légères vibrations qui aident à stabiliser le contact rapidement.
5nm @ 0.5nm/s: 63.3kΩ±5.8kΩ avec une excursion de 10.7kΩ
10nm @ 0.5nm/s: 23.9kΩ±1.1kΩ avec une excursion de 3.1kΩ

vendredi 28/05/2010

nouveaux tests:
-clean 20nm Cr -> vide à 4e-8
-evap 7nm @ 0.5nm/s (Process 100424)
-mesure AFM du 29/07 -> 8.8nm (photo)
-clean 20nm Cr -> vide à 5e-8 remonte à 6e-8 (pompe cryo chauffe)
-evap 7nm @ 0.1nm/s (Process 100426) avorté car la régul n'arrive pas à se faire en dessous de 0.115nm/s