-tests evap Cr (...suite)
vendredi 04/06/2010
Mesure des échantillons du 28/05:
7nm @ 0.5nm/s: R= 40.4kΩ±3.2kΩ avec une excursion totale de 9.4kΩ
lundi 07/06/2010
Nouveau test:
-clean 20nm Cr -> vide à 3.5e-8
-evap 7nm @ 0.2nm/s (Process 100464)
-lift OK, 1' US puissance 3.
- mesure-R= 56kΩ±kΩ avec une excursion totale de kΩ
mardi 08/06/2010
Observation des pistes de Cr sur premier échantillon (10nm @ 0.5nm/s du 10/05/2010)
En réalité la piste fait plutôt entre 120 et 150nm de large au milieu, entre 150 et 220nm près du plot de contact soit 160±25 nm (16% de variation) et entre 19.7 et 20.1 µm de long soit L=19.9±0.4 µm (2% de variation).
Pb: j'ignore complètement le profil du fil, et j'ai surtout pas envie de m'amuser à l'interpréter en terme de nombre de carrés.
Je vais plutôt prendre comme largeur moyenne W=150 nm qui est peut être une surestimation, mais a priori pas trop forte car c'est la largeur max au milieu du fil et la largeur min aux bords du fil.
Je suppose un δW=25nm.
On compte donc environ 133 carrés ± 22
Je suppose que la statistique sur cet échantillon est relevante pour tous les essais.
mercredi 09/06/2010
Nouveau test:
-clean 20nm Cr -> vide à 3.5e-8
-evap 7nm @ 0.1nm/s (Process 100479)
-lift OK, 1' US puissance 3.
mardi 15/06/2010
-spin 15g/L @ 5000rpm, recuit 30' sur 3 chips pour tests de dose et nouvelle géométrie pour tests Cr (vrai 4 fils, càd que les contacts de tension sont pris loin des pads d'injection de courant dans le fil -> pas d'effet de proximité)
-Je vais faire les tests de dose sur le masqueur e-line à Saclay.
mercredi 16/06/2010
-litho patch relax n°2 à Saclay.
Champ 1000 (100µm) courant 23.8pA pour les motifs du centre, dose 120µC/cm2
champ 100 (1mm) courant 235pA pour les motifs plus larges, dose 100µC/cm2
dev 45" MIBK:IPA (1:3) + rinçage IPA 15" -> OK
-Tests Cr litho avec stitching piste 100nmx200µm, dose 100µC/cm2 @ 10keV.
dev 50", rinçage 15" -> OK
Mais pb de raccords de champ (litho pas faite de la bonne façon, à refaire)
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Fichiers 16
| Fichier | Taille | Date | Attaché par | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 100464.txt data log process 100464 du 07/06/2010 - 7nm | 9.81 Ko | 10:02, 7 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | 2010-06-07_Cr [email protected]_4e-8.jpg suivi pression, evap 7nm @ 0.2nm/s P~5e-8, proc.#100464 | 116.37 Ko | 14:31, 7 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
|  | [email protected] mesure AFM du depot [email protected]/s du 07/06 | 46.39 Ko | 13:16, 30 Jul 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions |
 | 2010-06-09_Cr [email protected]_5e-8.bmp suivi pression, evap 7nm @ 0.1nm/s P~5e-8 | 2.24 Mo | 13:03, 9 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
| 2010-06-09_Cr [email protected]_5e-8.txt data log process | 11.05 Ko | 13:03, 9 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | [email protected] mesure AFM du depot [email protected]/s du 09/06 | 56.65 Ko | 13:16, 30 Jul 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | 2010-06-16 Cr_1.jpg litho saclay champ 1000 24pA pour lignes, champ 100 4nA pour carrés;Align writefield fait juste avant sur échantillon relax, dans repère de l'échantillon. Pas de align writefield après reset du repère U,V. | 697.66 Ko | 18:28, 17 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | 2010-06-16 Cr_2.jpg litho saclay idem | 689 Ko | 18:28, 17 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
| clean 100478.txt clean process 100478 | 11.23 Ko | 12:56, 9 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | [email protected]_1#1.png Aucune description | 140.17 Ko | 16:04, 10 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | [email protected]_1#2.png Aucune description | 657.35 Ko | 16:04, 10 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | [email protected]_2#2.png Aucune description | 341.11 Ko | 16:04, 10 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | [email protected]_3#1.png Aucune description | 120.22 Ko | 16:05, 10 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | [email protected]_3#2.png Aucune description | 390.57 Ko | 16:06, 10 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | [email protected]_3#3.png Aucune description | 392.61 Ko | 16:04, 10 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | [email protected]_6#2.png Aucune description | 388.53 Ko | 16:05, 10 Jun 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
| Images 12 | ||
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 suivi pression, evap 7nm @ 0.2nm/s P~5e-8, proc.#1004642010-06-07_Cr [email protected]_4e-8.jpg |  mesure AFM du depot [email protected]/s du 07/06[email protected] |  mesure AFM du depot [email protected]/s du 09/06[email protected] |
 litho saclay champ 1000 24pA pour lignes, champ 100 4nA pour carrés;Align writefield fait juste avant sur échantillon relax, dans repère de l'échantillon. Pas de align writefield après reset du repère U,V.2010-06-16 Cr_1.jpg |  litho saclay idem2010-06-16 Cr_2.jpg |  |
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