Longue période d'arrêt du masqueur (mise à jour, et modif des progs), et de congés des uns et des autres
-tests evap Cr (...suite)
jeudi 22/07/2010
3- Nouveau test Cr avec nouvelle géométrie multifilaire, 0.1x40µm et 0.05x40µm (~400 ou 800 carrés)
fichiers BCD_Test_Crcontacts.gpf et BCD_test_Crfils.gpf (niveau fin et niveau gros)
-spin PMMA 40g/L 5000rpm. Recuit 30'.
-litho : DCB_testCr.job matrice 10*10, dose 1200 niveau fin 100nm, 1440 niv fin 50nm, 1000 niv gros.
-> taille réelle = 125nm et 65nm.
-dev 60" + rinçage IPA 10".
-Clivage à la machine : un peu difficile de séparer éch car écart trop petit
-clean 20nm Cr dès que P<1e-7mbar-> vide à 4e-8
-evap 7nm @ 0.1nm/s (Process 100611)
-lift sans US
vendredi 23/07/2010
-mesure 4 fils résistance
7nm @ 0.1nm/s, 0.1x40: 136kΩ±5kΩ (8 échantillons, 2 déchets à cause clivage)
7nm @ 0.1nm/s, 0.05x40: 276kΩ±7kΩ (8 échantillons, 2 déchets à cause litho)
-Processing 05OC07_dcb#2 et P714#1
-observation microscope: P714#1 assez sale, 05OC07_dcb#2 OK
-retrait acétone résine (PMMA 15g/L)
-spin PMMA 40g/L 5000rpm + recuit 1h pour 05OC07_dcb#2, 30' pour P714#1
lundi 26/07/2010
-Expo 05OC07_dcb#2, etape Cr (n°5)
dose 1200 (pistes de 100nm * 15µm pour Rk)
alignement
dev 60" + rinçage IPA 10"
litho OK après debug
mardi 27/07/2010
-Processing 05OC07_dcb#2
clean 20nm Cr -> P=4e-8mb
Cr 7nm @ 0.1nm/s (Process 100629)
lift-off trichlo chaud sans US, OK
spin PMMA 50 g/L 5000rpm (épaisseur attendue 800 nm).
-Expo P714_dcb#1, etape Cr (n°5)
problème car échantillon collé pour pouvoir faire mesure de hauteur mais hauteur moyenne 101.6µm et le masqueur ne sait pas travailler au dessus de 100 µm.
Retrait résine.
spin PMMA 40g/L 5000trs/min,
décrochage délicat, contacts de la cellulle 3,3 abimés
-Processing AsGa pour test reprise contact sur Cr
dépot Cr 7nm @ 0.1nm/s, à travers masque mécanique (grille 1mm large)
ion milling avec masque meca pivoté 90°, 500V 50 mA 30s, P=2.2 10^-4, Argon (10 sccm), Ianode = 7mA
depot correct en epaisseur mais impossible de voir qqch a l'AFM
mercredi 28/07/2010
-Expo et process 05OC07_dcb#2, etape reprise de contacts grande echelle (n°6)
dose 1000
alignement
dev 60" + rinçage IPA 10"
evap Cr: 5nm @ 0.5nm/s
evap Au: 300nm @ 2nm/s (Process 100639)
Lift OK sans US.
observation microscope: un peu sale, résidus de résine
Mesures testeur sous pointe:
| cell | (1,1) | (1,2) | (2,1) | (2,2) | (3,1) | (3,2) | (3,3) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R série Cr (Ω) | 270k | 130k | 125k | 126k | 55k | 56k | 56k |
| R mesa ~70carres | 74k | ||||||
| R Cohm+Cr | ~10M |
vendredi 30/07/2010
-test reprise de contact sur Cr
reprend les couches precedemment evaporees et mesurees a l'AFM
testCr22/07 de 14nm
testCr29/07 de 4.5nm
testCr07/06 de 8.2nm
IBE 500V, 150mA, 90". Enregistre V=528V et Ianode=14.9mA (Process 100656)
mesure AFM marches Cr->GaAs, et GaAs couvert par pince -> non couvert:
-> marcheGaAs ~16nm, identique sur les 2 ech mesures (ouf), mais tres difficile a mesurer car oblige scan grand champ, ce qui implique distorsion piezo. (pour contourner ca je fais un fit 2nd ordre sur une partie supposement plate de l'image, en bougeant la zone de fit jusqu'a ce que le resultat soit satisfaisant, cf image, puis eventuellement un fit 1er ordre pour rectifier).
taux gravure GaAs ~ 12nm/min. (a comparer avec valeurs std d'oxide et de bulk)
-> marche Cr/GaAs sur 8.2nm € [23 - 24]nm
-> marche Cr/GaAs sur 14nm ~ 22 nm
Tres bizarre: on a la meme marche pour 8 et 14nm (sauf si les 14nm etaient un canular de la premiere mesure AFM, et qu'on avait bien ~8nm comme attendu)
hypothese: il restait du PMMA sur 14nm.
2e hypothese: tout le Cr est parti, mais trop pres de la fin de gravure pour que la couche d'oxide AsGa en dessous soit gravee sur aucun des echantillons. (histoire de latence, ne se passe "rien" avant 15-20s). Du coup on pourrait avoir la meme epaisseur de marche sur les deux echant malgre la diff initiale.
3e hypothese: les substrats de GaAs n'etaient pas oxides de la meme maniere.
Cependant, il reste forcement du Cr car marche Cr-AsGa fait env 6nm de plus que la marche AsGa...
Il faudrait egalement mesurer 4.5nm
Phenomene incontrole -> faut faire une vraie litho pour tester ces hauteurs de marche correctement.
Tout de meme une conclusion: 90" c'est trop!
- nouvelle litho de fils de Cr sur AsGa, meme parametres que precedemment
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Fichiers 7
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 | 2010-06-07_Cr8.2nm_IBE500V150mA90s_marcheCrGa_1.jpg mesure AFM du depot [email protected]/s du 07/06, apres IBE 500V 150mA 90", marche Cr-AsGa | 51.92 Ko | 20:30, 30 Jul 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 |  | 2010-06-07_Cr8.2nm_IBE500V150mA90s_marcheCrGa_2.jpg mesure AFM du depot [email protected]/s du 07/06, apres IBE 500V 150mA 90", marche Cr-AsGa | 52.51 Ko | 20:37, 30 Jul 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions |
 | 2010-06-07_Cr8.2nm_IBE500V150mA90s_marcheGaAs_2.jpg mesure AFM du depot [email protected]/s du 07/06, apres IBE 500V 150mA 90", marche AsGa | 52.92 Ko | 20:40, 30 Jul 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | 2010-07-22_Cr14nm_IBE500V150mA90s_marcheCrGa_2.jpg mesure AFM du depot [email protected]/s du 22/07, apres IBE 500V 150mA 90", marche Cr-AsGa | 54.14 Ko | 20:28, 30 Jul 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | 2010-07-22_Cr14nm_IBE500V150mA90s_marcheGaAs_2.jpg mesure AFM du depot [email protected]/s du 22/07, apres IBE 500V 150mA 90", marche AsGa | 50.47 Ko | 20:28, 30 Jul 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | [email protected] suivi pression, Cr4W 7nm @ 0.1nm/s, P=4e-8 | 2.24 Mo | 16:38, 30 Jul 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
 | [email protected] suivi pression, Cr 70nm@1nm/s sur 05OC07 | 2.24 Mo | 17:02, 30 Jul 2010 | Helene_Le_Sueur | Actions | |
| Images 5 | ||
|---|---|---|
 mesure AFM du depot [email protected]/s du 07/06, apres IBE 500V 150mA 90", marche Cr-AsGa2010-06-07_Cr8.2nm_IBE500V150mA90s_marcheCrGa_1.jpg |  mesure AFM du depot [email protected]/s du 07/06, apres IBE 500V 150mA 90", marche Cr-AsGa2010-06-07_Cr8.2nm_IBE500V150mA90s_marcheCrGa_2.jpg |  mesure AFM du depot [email protected]/s du 07/06, apres IBE 500V 150mA 90", marche AsGa2010-06-07_Cr8.2nm_IBE500V150mA90s_marcheGaAs_2.jpg |
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