Etude de la relaxation électronique dans les isolants. Les échantillons gardent mémoire de la tension de grille précédentes.
Ne pas avoir d'échantillon trop grand pour éviter les courants de fuites vers la gate : taille typique maximale : 20 x 7,5mm.
Ne pas faire les contacts en Au pour éviter la diffusion dans le NbSi. Choisir Nb/Ir ou Pd ou Pt cf Choix du matériau des électrodes.
Sur wafer de taille maximale 7,5mm x 20mm SiO2/Si++ (100nm), côté SiO2 :
A partir du 3ème 15mm x 15 mm SiO2/Si++ (100nm), côté SiO2 :
Effet de champ_01 (NbSi 27A-13%)
Effet de champ_02 (NbSi 125A-10%)
Effet de champ_03 (NbSi 125A-8%)
Effet de champ_04 (NbSi 125A-7%)
Effet de champ_05 (NbSi 25A-14%)
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Design Effet de champ.png Aucune description | 478.73 Ko | 17:31, 6 Mai 2013 | anne_aelle_drillien | Actions | ||
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