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Sommaire

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Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
	Si-Mat		SOI (5-1-500microns) SiN LPCVD (0.5 micron)
02/17	CSNSM	LB+LD	Evaporation bicouche NbSi-Al	NbSi : 15.8% 300A + Al :2000 A	%: 15.52 p: 1.2 10-7
02/17	CTU	SM	Enrésinement pour gravure routage	S1813 (résine positive)	Deshydratation 110° 1m S1813 + recuit 115° 90s
02/17	CTU	SM	Litho	Aligneur double face VACUUM Contact QUBIC_250 Routage Peigne	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s dans AZ Developer + EDI (1+1).
02/17	CTU	SM	Gravure humide Alu	gravure 2m20s (1000A Al)	Solution aluminium etching
02/17	CTU	SM	Retrait résine	Acetone	Pas de Polypropylène
02/17	CTU	SM	Enrésinement pour gravure NbSi	S1813 (résine positive)	Deshydratation 110° 1m S1813 (115° 90s) enrésinement tout de suite après la gravure alu
02/17	CTU	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 NbSi Peigne Hard contact	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s AZ + EDI (1+1) Deshydratation 110° 1m
02/17	CTU	SM	Gravure XeF2 du NbSi	30 cycles 15s 3Torr
02/17	CTU	SM	Retrait résine	10m acétone + ultrasons	Pas de Polypropylène
02/17	CTU	SM	Enrésinement pour lift Grille	AZ5214 (inversion d'image / lift-off)	Deshydratation 110° 1m AZ 5214 + récuit 115° 1 min
02/17	CTU	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 Grille Pd 4-100microns	1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min 2ème inso: 12s - dév 23s AZ+EDI (1:1) Deshydratation 110° 1m
02/17	CSNSM	LD	Evaporation grille Pd	épaisseur = 100A effectifs
02/17	CTU	SM	Lift-off	acetone + ultrasons	Pas de Polypropylène
03/03/17	CTU	SM	Enrésinement face arriere pour Deep-RIE	S4562	tournette 2000tr/m recuit 90° 1h
03/03/17	CTU	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 Deep RIE	dose 280 mJ/cm2 ou 35 s Développement 3-4 minutes AZ+EDI (1:1)
02/17	CTU	SM	Enrésinement pour gravure membranes face avant	S1813 (résine positive)	Deshydratation 110° 1m S1813 (115° 90s)
02/17	CTU	SM	Enrésinement pour gravure membrane face avant	Aligneur double face Hard Contact Membrane_QUBIC-250-V4	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s AZ + EDI (1+1) Deshydratation 110° 1m