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Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
	Si-Mat		SOI (5-1-500microns) SiN LPCVD (1 micron)
11/03/16	CSNSM	LB+LD	Evaporation bicouche NbSi-Al	NbSi : 15.50% 300A + Al : 1000 A	%: 15.49 p: 1.3 10-7
19/04/16	CTU	SM	Enrésinement pour gravure routage	S1813 (résine positive)	Deshydratation 115° 1m S1813 + recuit 115° 90s
19/04/16	CTU	SM	Litho	Aligneur double face VACUUM Contact QUBIC_250 Routage Peigne	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s dans AZ Developer + EDI (1+1).
20/04/16	CTU	SM	Gravure humide Alu	gravure 2m20s (1000A Al)	Solution aluminium etching
20/04/16	CTU	SM	Retrait résine	Acetone + Polypropylène
21/04/16	CTU	SM	Enrésinement pour gravure NbSi	S1813 (résine positive)	Deshydratation 115° 1m S1813 + recuit 115° 90s
21/04/16	CTU	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 NbSi Peigne	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s AZ + EDI (1+1).
21/04/16	CTU	SM	Gravure XeF2 du NbSi	5 cycles 15s 3Torr (XeF2 sur 6 wafers à la suite P60-56-57-58-59-61)	Arret de l'attaque en manuel
21/04/16	CTU	SM	Retrait résine	10m acétone + ultrasons 50°C
	CSNSM	SM	Enrésinement pour lift Grille	AZ5214 (inversion d'image / lift-off)	AZ 5214 (recuit 115° 1 min)
	CSNSM	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 Grille Pd 4-100microns	1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min 2ème inso: 12s - dév 23s AZ+EDI (1:1)
	CSNSM	LD	Evaporation grille Pd	épaisseur =
	CSNSM	SM	Lift-off	acetone + ultrasons