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Sommaire

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Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
	Si-Mat		SOI (5-1-500microns) SiN LPCVD (0.5 micron)
09/03/17	CSNSM	LB+LD	Evaporation bicouche NbSi-Al	NbSi : 15.8% 300A + Al : 1500 A
10/03/17	CTU	SM	Enrésinement pour gravure routage	S1805 (résine positive)	Deshydratation 115° 1m S1805 + recuit 115° 90s
10/03/17	CTU	SM	Litho	Aligneur double face VACUUM Contact QUBIC_250 Routage Peigne	dose 25 mJ/cm2 Développement 60s dans AZ Developer + EDI (1+1).
10/03/17	CTU	SM	Gravure humide Alu	gravure 3,5minutes environ (1500A Al)	Solution aluminium etching
10/03/17	CTU	SM	Retrait résine	Acetone + EDI	Pas de Polypropylène
10/03/17	CTU	SM	Enrésinement pour gravure NbSi	S1805 (résine positive)	Deshydratation 115° 1m S1805 (115° 90s) enrésinement tout de suite après la gravure alu
10/03/17	CTU	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 NbSi Peigne 20 Hard contact	dose 25 mJ/cm2 Développement 60s AZ + EDI (1+1) Deshydratation 110° 1m
10/03/17	CTU	SM	Gravure XeF2 du NbSi	15 cycles 15s 3Torr
10/03/17	CTU	SM	Retrait résine	1m acétone + ultrasons + EDI	Pas de Polypropylène
10/03/17	CTU	SM	Enresinement pour lift SiO protection NbSi	S1813 (résine positive)	Deshydratation 115° 1m S1813 (115° 90s)
10/03/17	CTU	SM	Litho laser	QUBIC250_SiO	tête 20mm filtre 30% dose 80 defocus 2048, fix focus Offset X= 95, Y= -65 Développement 3x60s AZ + EDI (1+1)

	CTU	SM	Enrésinement pour lift Grille	AZ5214 (inversion d'image / lift-off)	Deshydratation 110° 1m AZ 5214 + récuit 115° 1 min
	CTU	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 Grille Pd 4-100microns	1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min 2ème inso: 12s - dév 23s AZ+EDI (1:1) Deshydratation 110° 1m
	CSNSM	LD	Evaporation grille Pd	épaisseur = 100A effectifs
	CTU	SM	Lift-off	acetone + ultrasons	Pas de Polypropylène
	CTU	SM	Enrésinement pour gravure membranes face avant	S1813 (résine positive)	Deshydratation 110° 1m S1813 (115° 90s)
	CTU	SM	Litho face avant	Aligneur double face Hard Contact Membrane_QUBIC-250-V4	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s AZ + EDI (1+1) Deshydratation 110° 1m
	CTU	SM	Gravure nitrure membrane face avant	Gravure RIE AV	CHF3 + CF4 (x sccm, y sccm, zW, wmT) 35 minutes
	CTU	SM	Enresinement Face arrière pour Deep-RIE Silicium	AZ4562 2000 tr/m pour 10microns recuit 90°C 1 heure	Pas d'enresinement face avant
	CTU	SM	Litho ICP Silicium face arrière	Aligneur double face masque QUBIC_250_DeepRIE	dose 280 mJ/cm2 ou 35 s Développement 3-4 minutes AZ+EDI (1:1)
	CTU	SM	Enresinement protection face avant	S1805	recuit 115°C 60''
	CTU	SM	Gravure nitrure face arrière	Gravure RIE AV	CHF3 + CF4 (10 sccm, 42 sccm, 100W, 80mT) 35 minutes
	CTU	SM	ICP Si face arrière	programme Qubic etch	Collage sur wafer 4" avec pate thermique T=5°C
	CTU	SM	ICP SiO2	programme Qubic-ox-1mic	T=-10°C
	CTU	SM	Decollage Wafer	nettoyage patte thermique à l'acétone	pas d'isopropanole - pas d'éthanol
	CTU	SM	Enresinement protection dépots face avant	S1805
	CTU	SM	Litho membrane face avant	Aligneur double face soft Contact Membrane_QUBIC-250-V4	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s AZ + EDI (1+1) Deshydratation 110° 1m
	CTU	SM	XeF2	3mT, 15s Nb cycles :
	CTU	SM	netoyage résine face avant plasma O2	RIE AV	O2 50sccm, 70W, 70mT 40 minutes