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Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
	Si-Mat		SOI (5-1-500microns) SiN LPCVD (0.5 micron)
02/17	CSNSM	LB+LD	Evaporation bicouche NbSi-Al	NbSi : 15.8% 300A + Al : 1000 A
02/17	CTU	SM	Enrésinement pour gravure routage	S1813 (résine positive)	Deshydratation 115° 1m S1813 + recuit 115° 90s
02/17	CTU	SM	Litho	Aligneur double face VACUUM Contact QUBIC_250 Routage Peigne	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s dans AZ Developer + EDI (1+1).
02/17	CTU	SM	Gravure IBE Pd	6A/s 30s d'IBE, surgravure Al
02/17	CTU	SM	Gravure humide Alu	gravure 2m (1000A Al)	Solution aluminium etching
02/17	CTU	SM	Retrait résine	Acetone + Polypropylène
02/17	CTU	SM	Enrésinement pour gravure NbSi	S1813 (résine positive)	primer + S1813 (115° 90s) enrésinement tout de suite après la gravure alu
02/17	CTU	SM	Litho NbSi	Aligneur double face QUBIC_250 NbSi Peigne	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s AZ + EDI (1+1).
02/17	CTU	SM	Attaque du routage en Al	Suite du process pour faire des tests sur les membranes
02/17	CTU	SM	XeF2	3mT, 15s, environ 20 cycles
02/17	CTU	SM	Enrésinement pour Deep-RIE Si	AZ4562 2000 tr/m pour 10microns recuit 90°C 1 heure	Pas de resine de protection face avant
02/17	CTU	SM	Litho face arrière	Aligneur double face QUBIC_250 Deep RIE	dose 280 mJ/cm2 ou 35 s Développement 3-4 minutes AZ+EDI (1:1)
01/03/17	CTU	SM	Collage sur wafer 4pouces pour Deep-RIE (wafer avec 2.8 microns de SiO2)	Collage par enresinement S1805 sur le P62 et le wafer 4 pouces. Passage 3 minutes à 125°C pour le collage (les deux wafers ensemble)
01/03/17	CTU	SM	RIE AV SiN face arrière	SF6 + CHF3	35 minutes
	CTU	SM	Deep-RIE