Sommaire
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Date | Labo | Intervenant | Technologie | Caractéristiques | Remarques - Masque |
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| Si-Mat | SOI (5-1-500microns) SiN LPCVD (1 micron) | |||
| 08/03/16 | CSNSM | LB+LD | Evaporation bicouche NbSi-Al | NbSi : 15.50% 300A + Al : 1000 A |
%: 15.59 p: 3 10-7 |
| 19/04/16 | CTU | SM | Enrésinement pour gravure routage | (résine positive) | Deshydratation 115° 1m S1813 + recuit 115° 90s |
| 19/04/16 | CTU | SM | Litho | Aligneur double face VACUUM Contact QUBIC_250 Routage Peigne | dose 45 mJ/cm2 Développement 60s dans AZ Developer + EDI (1+1). |
| 20/04/16 | CTU | SM | gravure 2m20s (1000A Al) | Solution aluminium etching | |
| 20/04/16 | CTU | SM | Retrait résine | Acetone + Polypropylène | |
| 21/04/16 | CTU | SM | Enrésinement pour gravure NbSi | (résine positive) | Deshydratation 115° 1m S1813 + recuit 115° 90s |
| 21/04/16 | CTU | SM | Litho | Aligneur double face QUBIC_250 NbSi Peigne | Hard contact. dose 45 mJ/cm2 Dév: 60s AZ + EDI (1+1). |
| 21/04/16 | CTU | SM | Gravure XeF2 du NbSi | 7 cycles 15s 3Torr (XeF2 sur 6 wafers à la suite : P60-56-57-58-59-61) | Arret de l'attaque manuellement dès que le NbSi disparait en visuel |
| 21/04/16 | CTU | SM | Retrait résine | 10m acétone + ultrasons 50°C | Retrait de résine difficile |
| 02/05/16 | CSNSM | SM | Enrésinement pour lift Grille | Résine positive en inversion d'image / lift-off | Deshydratation 115° 1m AZ 5214 + récuit 115° 1 min |
| 02/05/16 | CSNSM | SM | Litho | Aligneur double face QUBIC_250 Grille Pd 4-100microns | Hard contact |
| CSNSM | LD | Evaporation grille Pd | épaisseur = | ||
| CSNSM | SM | Lift-off | acetone + ultrasons |
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