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Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
	Si-Mat		SOI (5-1-500microns) SiN LPCVD (1 micron)
17/11/15	CSNSM	LB+LD	Evaporation bicouche NbSi-Al	NbSi : 15.50% 300A + Al : 1000 A	%: 15.46 p: 1.4 10-7
05/01/16	CTU	SM	Enrésinement pour gravure routage	S1813 (résine positive)	primer + S1813 Recuit 115° 90s
05/01/16	CTU	SM	Litho	Aligneur double face VACUUM Contact QUBIC_250 Routage Peigne	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s dans AZ Developer + EDI (1+1).
05/01/16	CTU	SM	Gravure humide Alu	gravure 4 minutes. Il vaut mieux faire 3 min (1000A Al)	Solution aluminium etching
07/01/16	CTU	SM	Retrait résine à l'acétone
07/01/16	CTU	SM	Enrésinement pour gravure NbSi	S1813 (résine positive)	primer + S1813 (115° 90s) enrésinement tout de suite après la gravure alu
07/01/16	CTU	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 NbSi Peigne	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s AZ + EDI (1+1).
08/01/16	CTU	SM	Gravure RIE du NbSi	Gravure 10 minutes CHF4-SF6 inefficace Gravure 4m30" SF6-02 : surgravure. Le SiN a été attaqué de manière inhomogène Il faudra peut-être essayer 1m de SF6-02 suivi de CHF4-SF6
08/01/16	CTU	SM	Retrait résine	Plasma 02 + 1m acétone
	CSNSM	SM	Enrésinement pour lift Grille	AZ5214 (résine positive)	AZ 5214 (recuit 115° 1 min)
	CSNSM	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 Grille Pd 4-100microns	1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min 2ème inso: 12s - dév 23s AZ+EDI (1:1)
	CSNSM	LD	Evaporation grille Pd	épaisseur =
	CSNSM	SM	Lift-off	acetone + ultrasons