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Sommaire

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Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
	Si-Mat		SOI (5-1-500microns) SiN LPCVD (0.5 micron)
11/12/14	CSNSM	LB+LD	Evaporation bicouche NbSi-Al	NbSi : 15.20% 300A Al : 1000 A	Nb: 15.23% p: 5.10-8
05/01/15	CTU	SM	Enrésinement pour gravure routage	S1813 (résine positive)	primer + S1813 Recuit 115° 90s
05/01/15	CTU	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 Routage Peigne	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s dans AZ Developer + EDI (1+1).
05/01/15	CTU	SM	Gravure humide Alu	gravure 3 min(1000A Al)	Solution aluminium etching
05/01/15	CTU	SM	Retrait résine à l'acétone
05/01/15	CTU	SM	Enrésinement pour gravure NbSi	S1813 (résine positive)	primer + S1813 (115° 90s) enrésinement tout de suite après la gravure alu
06/01/15	CTU	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 NbSi Peigne	dose 45 mJ/cm2 Développement 60s dans AZ Developer + EDI (1+1).
06/01/15	CTU	SM	Gravure XeF2 du NbSi	45 cycles 15s 2.5T (attention : 4 wafers traités en XeF2 à la filée: 1er : 45 cycles OK 2me 45 cycles sur-gravé 3me 28 cycles sur-gravé 4me 14 cycles sur-gravé	Graver le NbSi jusqu'au SiN Faire un etching XeF2 à blanc de 30 cycles avant la gravure des prochains wafers?
06/01/15	CTU	SM	Retrait résine acétone		Ultrasons 15m + isopropylène. OK
01/2015	CTU	SM	Enresinement pour lift Grille	AZ5214 (résine positive)	Primer + AZ5214 (recuit 115° 1 min)
01/2015	CTU	SM	Litho	Aligneur double face QUBIC_250 Grille v3	1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min 2ème inso: 12s - dév 25s AZ351+EDI (1:4)
02/02/2015	CSNSM	LB+LD	coévap TiV	TiV 240A 2% + 150A SiO
03/02/2015	CTU	SM	Lift-off	Acetone + Isopropanol + EDI