Rx_13
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Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
	University Wafers			Wafer Si 3" 1micron SiN
06/06/14	CTU	DN	Enrésinement pour chauffage Au	AZ5214 + primer	Masque " Rx 2x2 CHAUFFAGE" 115° 1 min - 1.5s - 125° 1 min - 12s dév 25s MIF726
11/06/14	CTU	DN	Plasma O2	RIE STS 70sccm 120W 10s
	CTU	DN	Evaporation Au	Ti 20A + Au 500 A	Ti: v=0.1nm/s, I= 0.11A, P = 8x10-7 Torr Au: v=0.15nm/s, I= 0.18A, P = 6.4x10-7 Torr
	CTU	DN	Lift-off	acétone	RAS
12/06/14	CTU	DN	Enrésinement pour TES NbSi	AZ5214 + primer	Masque "Rx 2x2 MEANDRE" 115° 1 min - 1.5s - 125° 1 min - 12s dév 28s MIF 726
16/06/14	CSNSM	LB /LD	Evaporation NbSi	500 A - 14,00%	13.95% p:2e-7
17/06/14	CTU	DN	Lift-off	acétone	5 min ultrasons - Rinçage iso + eau Lift difficile, pas mal de défauts
18/06/14	CTU	DN	Enrésinement pour electrodes Al	AZ5214 + primer	Masque " Rx 2x2 PRE-CONTACTS" Mêmes conditions de litho que pour le NbSi
20/06/14	CTU	DN	Evaporation Al	2000 A	Décapage Ar avant dépôt : 10 min anode: 100V, emitter: 150mA, accelerator: -60V, 8sccm d'Ar P= 4.10-7 Torrs en début de dépôt v= 0.3 nm/s I=0.26 A
20/06/14	CTU	DN	Lift-off	acétone	rinçage iso + eau
17/07/14	CSNSM	SM	Mesures à froid
	CTU	DN	Enrésinement pour trous traversants	Résine AZ4562	recuit 1h à 90° - insolation 40s dév 4 min 30s dans AZ400K:eau (1:4)
	CTU	DN	Gravure nitrure	RIE STS	recette Nitiram
	CTU	DN	Gravure profonde Si	1h30 recette Qubic_etch	ultrasons ? (pour casser les membranes de SiN qui bouchent les trous en face arrière)
	CTU	DN	Nettoyage résidus	Acétone + 1165 chaud
	CSNSM		Mesures à froid