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Rx_04
Rx_04Edit

    Sommaire
    aucun titre

     

    Date Labo Intervenant Technologie Caractéristiques Remarques - Masque
     

    University

    Wafers

    		    

    Wafer Si 3"

    1micron SiN

    		  
    15-01-2014 CSNSM LB

    Evaporation NbSi

    		300 A - 14,5%

    Dépôt pleine plaque. Pas de protection SiO 14,52%
    20/01/14 CTU DN Enrésinement pour Gravure NbSi

    S1805 + primer

    dose 60mJ/cm2 - dév 10s dans MF319

    		 Masque " Rx 2x2 MEANDRE"
    25/03/14 CTU DN Gravure NbSi RIE AV

    Programme "gravure thermo NbSi"

    gravure 7min 40s (trèèèès long !)
    26/03/14 CTU DN Nettoyage résine   Acétone + délaqueur 10 min + 1165
      CTU DN Enrésinement pour chauffage Au primer + AZ5214

    Masque " Rx 2x2 CHAUFFAGE"

    recuit 115° min - 1.5s - recuit 125° 1min - 12s - dév 25s MIF726
      CTU DN Plasma O2 RIE STS 10s recette BoloAu1
    27/03/14 CTU DN Evaporation Au 500 A sous-couche accrochage Ti 2 nm
      CTU DN Lift-off acétone rinçage iso et eau
    28/03/14 CTU DN Enrésinement pour electrodes Al primer + AZ5214

    Masque " Rx 2x2 PRE-CONTACTS"

    Mêmes conditions de litho que pour le NbSi
    31/03/14 CTU DN Evaporation Al 2000 A

    Décapage Ar avant dépôt 5 min

    P=6,3.10-7 Torrs en début de dépôt

    v=0.3nm/s  I=0.26A
      CTU DN Lift-off acétone rinçage iso et eau + 10s ultrasons
    01/04/14 CTU DN Enrésinement pour trous traversants

    Résine AZ4562

    Masque trous

    recuit  1h à 90°  - insolation 40s

    dév 4 min 30s dans AZ400K:eau (1:4)
    02/04/14 CTU DN Gravure niture RIE STS 40 min 10s recette Nitiram (3 éch en même temps)
    03/04/14 CTU DN ICP Gravure profonde Si

    1h 30 recette Qubic etch + 30s ultrasons pour casser les membranes SiN en face arrière
    04/04/14 CTU DN Nettoyage résidus Acétone + 1165 Parfait
      CSNSM   Test cryo   Objectif: Tc à 70mK
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