Rx_05
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Sommaire

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Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
	University Wafers			Wafer Si 3" 1micron SiN
	CTU	DN	Enrésinement pour TES NbSi	LOL + AZ5214	Masque "Rx 2x2 MEANDRE"
16/01/14	CSNSM	LB	Evaporation NbSi	500 A - 14,00%	Pas de protection SiO 13,98%
20/01/14	CTU	DN	Lift-off	acétone + LOL remover
23/01/14	CTU	DN	Enrésinement pour chauffage Au	LOL + AZ5214	Masque " Rx 2x2 CHAUFFAGE"
	CTU	DN	Plasma O2	RIE STS 120W-70sccm-10s
24/01/14	CSNSM	LB	Evaporation Au	Ti 20A + 500 A	p: 2.10-7mbar
	CTU	DN	Lift-off	acétone + LOL remover
27/01/14	CTU	DN	Enrésinement pour electrodes Al	LOL + AZ5214	Masque " Rx 2x2 PRE-CONTACTS"
28/01/14	CTU	DN	Plasma O2	RIE STS 120W-70sccm-10s
29/01/14	CTU	DN + BB	Evaporation Al	2000 A	Evaporateur Plassys
	CTU	DN	Lift-off	acétone + LOL remover
31/01/14	CTU	DN	Enrésinement pour trous traversants	Résine AZ4562 dév 4 min 30s	Masque "Rx 2x2 TROUS" fabriqué par litho laser à l'IEF. Attention: pas de symétrie mirroir.
03/02/14	CTU	DN	Gravure nitrure	RIE STS	39min30s recette Nitiram
07/02/14	CTU	DN	Gravure profonde	ICP SPTS	1h30 recette qubic_etch
10/02/14	CTU	DN	Nettoyage résidus résine	Bain acétone puis 1165	Reste des résidus de résine sur les bords des trous + reste une fine membrane au fond de chaque trou
	CSNSM	SM	Mesures à froid
11/03/14	CTU	DN	Gravure alu		Gravure chimique de l'alu - Il reste un peu d'alu au niveau des contacts d'or
14/03/14	CTU	DN	Evap Al + décapage Ar	Evap 2000A Plassys	Décapage échantillon: emitter 150mA acc -60V anode 100V (120V réel) Ar 8 sccm P=4,8.10-5Torr durée = 5 min Dépôt: v=0.3nm/s P = 6,4.10-7 Torr