2012-07

2012-07Edit

11/07/2012

Evap faite par Laurent: 200nm NbSi, 21%
Creuset en milieu de vie
Résultats RBS: 

16/07/2012

Masques KIDS-CPB-1 reçus (un masque pour Al, un masque pour NbSi).
Spin S1813 4000rpm 60" + 6000rpm 2" (tm 1")
bake 110°C 5'

Expo MJB3 40" Hard contact (HP) (@ 5mW/cm2 = 200mJ/cm2)

Dev 25°C (pb régul T° !) MF319, 50". Les gros motifs sont tous développés (passés à rouge sombre) dès 15".

Observation microscope: env 70% wafer réussi à l'oeil, mais les pistes fines (<3µm) sont amincies (test de focus)

Mesure dektac: moyenne vers 1.38µm pour les gros motifs, et les petits motifs sont légèrement moins épais (1.36, le min à 1.2µm). Impossible de mesurer la largeur réelle des motifs.

Découpe + spin + litho de petits échantillons témoins sur substrat dédié aux mesures CQPS NbSi 25% 50nm, pour mettre au point l'étape de RIE.
Je constate que le masque TiN ne comporte pas les motifs de mesure de Lk!!!
On va se contenter des mesures DC, mais ça ne permettra pas de mettre au point la RIE pour l'aspect haute fréquence...
Sur les 4 éch témoins, spin 4000rpm, séchage 5' @110°C, expo 40" @ 5mW/cm2, dev 20" MF319 @ 25°C.
Les gros motifs partent au bout de 10", et les derniers sont finis à 15" sur tous les éch. Rajoute "10%", en l'occurrence 5" pour -> 20". Rince ODI 1' puis 20" sous robinet ODI.

17/07/2012

Je nettoie aceton + IPA et respinne le wafer poli 2 faces (qui devrait être le wafer dédié au KIDS).
Je l'insole à nouveau 40" @ 5mW/cm2, puis dev 25" @ 21°C (les motifs disparaissent plus vers 20" aujourd'hui, il fait moins chaud dans la salle jaune)

Mesure Dektac sur ech témoins:
- profil résine: 1.39µm (pas mesuré à plusieurs endroits, mais identique à précédemment)
- profil bord de NbSi: 200nm !!!!
Y aurait-il eu une erreur de wafer lors de l'évap KIDS??

Je mesure le bord NbSi du wafer poli 2 faces, et OUI on a bien 50nm... C'est surréaliste! -> J'avais refilé à Laurent un wafer poli 2 faces sans faire attention, et par contre, SRON a dû m'envoyer des wafers polis 1 face au lieu de 2... que je n'avais pas vérifiés avant de les filer à Laurent. -> CONFIRME en allant voir les wafers restants en salle blanche CSNSM...

Donc finalement, j'ai découpé le wafer KIDS en petits morceaux, et je vais mettre au point la RIE sur du NbSi 21%, 200nm.

Je vais tenter 2 types de RIE différents: la RIE adaptée pour résonateurs Nb (SPEC), et la RIE utilisée par groupe pour NbSi traditionnellement (CSNSM).

SPEC:

• CF4 : 20cc
• Ar : 10cc
• P : 50 µb
• RF : 50W

-> on attend en principe: 0.65nm/s pour taux de gravure de Nb et de S1813, et 0.4nm/s pour SiO2 (mais en principe pas de SiO2 sur wafer KIDS -> faut vérifier que Laurent ne s'est pas trompé de wafer, et que SRON non plus...)

On etch 6', tension d'autopol = 181V
On mesure en première approx:
- Si : 0.66nm/s (mesuré sur Si avec résine uniquement -sans NbSi)
- S1813 : 1nm/s (mesuré sur même marche, avant retrait résine)
- NbSi (21%) : 0.86nm/s

On etch le 2è échantillon témoin 253" (230+23) pour ne virer que NbSi
mesures dektac:
- marche Si/Si (protection S18) : 173nm -> 0.68nm/s +/- 0.04
- marche NbSi/Si (protégée S18) : 220nm +/- 10nm -> 0.89nm/s +/- 0.04
- reste S18 : 1060nm à 1090nm, soit 300 à 330nm gravés -> 1.2nm/s +/- 0.1
- différentiel de gravure en bord de NbSi: 200/136 = 1.47 ce qui donnerait 1nm/s pour taux NbSi ( mais épaisseur de bord <200 donc différentiel réel plus petit). ~consistant.

Mesures des taux confirmées.
Observation optique: aucun résidu.

18/07/2012

CSNSM:

• CF4 : 42cc
• O2 : 3cc
• P : 110µb
• RF : 40W

-> on attend ??

On etch 5', tension d'autopol = 121V, la pression remonte à 120µb pendant process (mauvaise régul par vanne papillon)
On mesure en première approx:
- marche Si/Si (protection S18) : 600nm -> 2nm/s
- marche NbSi/Si (protection S18) : 670nm (dont 200nm NbSi) -> 3.1nm/s
- marche Si/Si non protégé par S18 mais par bord NbSi : env 90-100nm -> différentiel de gravure facteur 2 au lieu du 1.5 mesuré au-dessus, mais incertirude sur épaisseur initiale NbSi en bord de couche. ~OK
- reste S18 : 950 à 1080nm, soit 310 à 440nm gravés (pb incertitude sur épaisseur initiale résine car effets de bord sur petit échantillon) -> 1 à 1.45nm/s. (dans tous les cas on est à l'aise avec de la S1813)
Observation optique: résidus

On etch 2è échantillon témoin 75" pour ne virer que NbSi.
Mesures dektac:
- marche Si/Si (protection S18) : 125 à 130nm -> 1.70nm/s +/- 0.03
- marche NbSi/Si (protégée S18) : 232nm +/- 4nm -> 3.56nm/s +/- 0.07 (! faut compter partie Si gravée pour trouver taux NbSi)
- reste S18 : 1252nm +/- 10nm, soit 136 +/- 10nm gravés -> 1.8nm/s +/- 0.1
- différentiel de gravure en bord de NbSi: 200/96 = 2.1 ce qui est parfaitement consistant avec mesures de taux (NB, cette fois je mesure plus loin du bord pour avoir descente complète).
Observation optique: aucun résidu.