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2013-11
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    wafer Kid_NI_NbSi_2

    vendredi 8/11/2013

    Wafer utilisé
        Si intrinsèque 100, 3", both sides polished, rho = 17.5 - 20 kohms.cm

    Désoxydation wafer (Hélène, SPEC) 
        HF:ODI 1:20, 30"
        rinçage ODI 30"

    Précautions absolues pour la poussière !! (tous beschers nettoyés plusieurs fois, paillasse nettoyée, boite platique netoyée, manipulations les plus courtes possibles)
    Montage de l'échantillon sur porte-ech évap sous hotte solvants, puis rajout d'un cache dessus pour transport.
    Au CSNSM, cache retiré au dernier moment, juste avant de mettre dans sas
    Port de charlotte et masque, par Louis et LN

    1st step: NbSi, masque NISBAv1 layer 1

    Evap NbSi ( Laurent Louis, CSNSM)
        Nb 
    18,00 % visé; Nb 17,96 % moyenné sur l'évap.
        
    50 nm +/- 0.5  @ x 0.2 nm/s

    Résultats RBS (, CSNSM)

    A la sortie, remise immédiate du cache dès ouverture du sas, démontage en salle blanche au SPEC sous hotte solvants.

    mardi 12/11/2013

    Resist process
    spin S1813 (batch A016B7G001, per 15/07/2012) 60" @ 4krpm
    bake 2' @ 110°C

    Il semble qu'il y a des inhomogénéités dans le dépôt, et une trace de rayure sur le wafer (quand j'ai sorti le wafer du porte -echantillon avec la pince), mais le spin est nickel (apparemment pas de poussières déposées entre dépôt et spin)

    Attention: sur la tournette côté MJB4, le vide est à -515mb péniblement (avec le chuck 3"). Je ne tente pas le coup, et je passe directement de l'autre côté: vide à -650mb direct...
    Limite de vide à atteindre pour gros wafers: 560mb (sinon, il ne faut pas lancer le spin)
    (en tous cas, limite logicielle =-520? pas suffisante)

    Expo MJB4 150mJ/cm2 @ 10mW/cm2 = 15" Vac contact

    Dev MF319 60" @ 19.0°C, rinse ODI 60" bescher + 30" water tap

    Etch NbSi

    - Commence par nettoyer l'enceinte: 50cc O2, 250µb, 50w -> 150V, 20'

    - Sur échantillon témoin (reste de Nisbav1_1) avec S1813 dessus:
    Signal laser très élevé dès le début (7). Au bout de 50", atteint max d'interférence (vers 7.5) puis descend as usual pour atteindre un plat à 1'20 (quand on rentre dans wafer Si - attention, sûrement que si on a du SiO2, il y a à nouveau des interférences, mais là ce n'est pas le cas)
    Je rajoute 10% pour l'homogénéïté etc: 1'30
    OK à l'oeil, strip résine, mesure alpha step: entre 70 et 80nm
    Mesure largeur de piste:
    Pour 10µm nominal (vérifier motif l2c3, sur capa interdigitées), on mesure entre 9.6 et 10.4µm de large en haut de la piste, et 25µm de période (au coude en bas de la piste)

    - sur wafer complet, même procédure. A 50", atteint max, 1'40 atteint plat, rajoute 10" -> 1'50
    Visu OK

    mercredi 13/11/2013

    2nd step: Al, masque NISBAv1 layer 2

    Resist process

    - Spin AZ5214E batch DEAZ055861-I2, exp. 10/12/2010, 3" 500rpm + 60" 4k rpm
    NB: cette fois même sur tournette côté MJB3, le vide descend à -550mb au début, puis lentement à -580mb (même après plusieurs tentatives. ?? Le dos du wafer qui a des résidus de résine ou bien le chuck - normalement nettoyé ??). Je lance quand même le spin. OK.
    - Bake 125°C 1'  hot plate (+10" soufflette le temps de retirer le wafer de la plaque)
    - Expo 5" @ 10mW/cm2 (alignement difficile car le MJB4 ne s'est pas planarisé correctement (wafer penché versus masque. En plus, je me suis trompée dans la polarité de mes marques d'alignement, et les ronds sont en verre au lieu d'être en Cr. Du coup, je ne vois pas l'étape NbSi et je ne peux donc pas me servir de ces marques là. Suis obligée de faire avec les marques Néel qui sont moins précises)
    - Bake 125°C 1'
    - thermalize
    - Flood Expo 30" @ 10mW/cm2
    - dev MIF 726 1' @19.1°C, rinse ODI water tap 1'. Les motifs ne sont peut être pas tous bien développés car à 1' il se passe encore des choses.
    - observation optique: alignement parfait, mais chose bizarre s'est passée sur les motifs NbSi: par endroits, grosses bulles où la réine semble partie!! -> problème de réflectivité du substrat?? Problème lié au développement?

    Je tente une litho sur le témoin l2c3: Même procédure.

    FORCEMENT !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
    LE MASQUE N'EST PAS DE LA BONNE POLARITE !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
    MERCI QUI ??? -> to check

    Prends recette de lift-off layer: LOL 2000 + S1805

    LOL 2000 batch 5638390 per. 07/12/2010

    - spin 2000rpm 60"
    n'adhère pas partout
    rinse aceton + IPA: reste traces là où on avait de la AZ 5214E !
    Passe au remover 1165 (NMP) 1' + rinse ODI water tap 1'
    - bake 1' 130°C (water and solvent evaporation)
    - spin 2000 rpm 60" -> OK, sauf là où je tenais le wafer lors du rinçage ODI après remover... (pourtant j'ai fait attention à le poser, rinser la pince, puis remettre, mais sans doute pas assez longtemps)
    - bake 130°C 10' (-> dissolution rate ~30nm/s in MF319)
    (procédure idem pour témoin, sauf que pas de problème d'adhésion)

    PROBLEME! Il y a des résidus derrière le substrat et ça empèchele vide de se faire correctement.
    De plus, j'ai commencé par spinner la résine avant de faire le vide, du coup je suis obligée de tout reprocesser

    Nettoyage idem que précédemment sauf que termine dans bescher ODI, puis rinse ethanol en sortant, pour que ça sèche plus facilement.

    - reprocess identique sauf que met un plastique bleu sous wafer pour éviter résidus en back-side.
    MARCHE BIEN!

    - spin S1805 (même batch que précédemment) 4000rpm 60"
    - bake 110°C, 2'

    - Expo MJB4 150mJ/cm2 @ 10mW/cm2 = 15" Vac contact

    L'alignement se passe beaucoup mieux que la fois précédente, mais reste un peu dur.

    - Dev MF319 45" @ 19.0°C, rinse ODI 60" bescher + 30" water tap

    ci-dessous, témoin à 30" puis 45" de développement. A 45" on a en gros 500nm d'undercut
    30" MIF319; gauche: focus on top, droite: focus on bottom (léger rétrécissement, à peine visible par transparence du top layer)
    w2_lolS1805_MF319-30s_top.jpgw2_lolS1805_MF319-30s_under.jpg
    45" MIF319
    w2_lolS1805_MF319-45s.jpg

    - mesure de marche alpha step sur témoin uniquement: 720nm en moyenne, ce qui correspond parfaitement à 200nm LOL + 500nm S1805

    jeudi 14/11

    EVAP Al

    témoin w1_l2c3:
    Vieux canon P110
    - etch 3mA, 500V, 20"
    - evap 150nm Al @ 1nm/s, P=6.5e-7mb

    w2:
    Nouveau canon
    - etch 65mA, 500V en rotation planétaire à 17°/s (homogénéité 5cm)
    - evap 150nm Al @ 1nm/s, P=6.5e-7mb

    - lift-off acetone ~60' pour témoin, ~20' pour w2
    - remover 1165, 5' pour virer résidus
    - rinse ODI + IPA

    - observation optique
    témoin w1_l2c3: motifs OK, alignement OK, quleques saletés, ligne de transmission continue, 3 résonateurs OFF
    Ci-dessous, image d'un pixel réussi (obtenue par stitching)

    w1_l2c3temoin_fin.jpg

    Enrésinement du wafer pour envoi à Néel : spin S1813 @ 2000rpm 60"
    Observation: vraiment nickel. Je ne peux pas faire mieux que ça. Sur tout le wafer, moins d'une dizaine de résonateurs OUT. Les lignes de transmissions sont toutes bonnes, sauf à un endroit sur l2 c2, le plan de masse est ouvert devant un résonateur, ce qui modifiera son couplage, mais ne devrait pas affecter la ligne elle-même.

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     Shipley S1813.doc Modifier
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    72.5 Ko14:59, 13 Nov 2013Helene_Le_SueurActions
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    témoin en fin de process
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    témoin en fin de process
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    ech témoin, lift-off layer, MF319 30", focus top, Gx250
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    ech témoin, lift-off layer, MF319 30", focus bottom, Gx250
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    ech témoin, lift-off layer, MF319 45", Gx250
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