2013-09
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Sommaire

1. 20/09/2013
2. 1/10/2013

Premier wafer KIDS pour NEEL (NISBA_v1)

Ci-dessous:
- haut gauche: vue globale du wafer 3"
- haut droite: échantillon ligne 2 colonne 1 (carré de 2cm x 2cm)
- bas gauche: zoom sur pixel: en vert kaki, résonateur NbSi avec capa interdigitée au centre et méandre inductif. Carré de 2mm x 2mm, largeur de ligne 10µm. En vert foncé, ligne de transmission en Al (largeur 20µm, gap 10µm)
- bas droite: zoom sur pixel dans échantillon l1 c 3. Les méandres inductifs sont orientés dans toutes les directions pour être sensible à différentes polarisations de la lumière

wafer Kid_NI_NbSi_1

20/09/2013

- Wafer utilisé
Si intrinsèque 100, 3", both sides polished, rho = 17.5 - 20 kohms.cm

- Désoxydation wafer (Laurent, CSNSM)
HF:ODI 1:20, 30"
rinçage ODI 30"

- Montage wafer sur porte-échantillon sous hotte (Laurent, CSNSM)

1st step: NbSi

- Evap NbSi ( Laurent, CSNSM)
Nb 18,00 % visé; Nb 17,96 % moyenné sur l'évap.
50 nm +/- 0.5 @ x 0.2 nm/s

- Résultats RBS (, CSNSM)

1/10/2013

Resist process
spin S1813 (batch A016B7G001, per 15/07/2012) 60" @ 4krpm
bake 5' @ 110°C
(idem pour les 2 échantillons témoin de gravure)

poussières font des traces -> reprocess: strip aceton + US 5', IPA + US 2', séchage hot plate 1' @ 110°C, cool down

respin
Le vide de la tournette casse pendant le spin !!!!
et le wafer aussi
Il reste tout de même 2 morceaux sur lesquels on peut faire un chip complet.
L'un des deux est propre au niveau résine, l'autre je le reprocess à l'identique

NB: le porte échantillon de la tournette n'était pas bien adapté aux wafer 3" (il n'y avait pas de porte-échantillon adapté sur cette tournette). La force d'aspiration était vraisemblablement insuffisante avec le porte échantillon choisi.
La prochaine fois, il vaudra mieux prendre le porte échantillon pour masques 4" et coller le wafer avec scotch bleu pour le spinner dessus.
Ou bien faire faire un porte échantillon spécifique wafer 3"

Expo MJB4 150mJ/cm2 @ 10mW/cm2 = 15" Vac contact
Dev MF319 50" @ 20.2°C

OK pour dev mais trop de poussières -> reprocess les 2 échantillons

Décide de tout arrêter avec ce wafer et de reprocesser un autre wafer avec une autre méthode de chargement déchargement en salle blanche au SPEC, avec protection pour transport.

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