Différents wafers utilisésModifier la section
    Date Nom orientation resistivity oxide layer thick
    (µm)
    dopant polish ref. fabricant fournisseur utilisation
    07/2012 KID_SRON_NbSi_1     no         SRON développement de résonateurs NbSi 21% 200nm SRON
    -> confusion avec autre wafer! (découpé par erreur)
    03/2013 KID_SRON_NbSi_2     no         SRON développement de résonateurs NbSi 21% 200nm SRON
    -> large noise, 1/10 of expected light sensitivity, Tc=1.5K as expected
    09/2013 KID_NI_NbSi_1 100 17.5-20k no       G214 ? développement de résonateurs NbSi 18% 50nm Néel
    -> broken during process
    11/2013 KID_NI_NbSi_2 100 17.5-20k no       G214 ? développement de résonateurs NbSi Néel
    -> design not appropriate, no light sensitivity
                         
    09/2014 PEKID1a & b 100 3k-4k no       2451 university wafers developpement de multilayers Al/xx
    Litho motifs CPB + cut plaquettes 20x30
    -> essai raté cause source Al polluée?
    10/2014 PEKID1c & d 100 3k-4k 50nm       2451 university wafers developpement de multilayers Al/xx.
    Litho motifs CPB + cut chips individuels et plaquettes 20x30
    11/2014 NIPEK1 111 >6k no       0806RR FZwafers to send in plain layer to grenoble for etching process and optical measurements on trilayer Al 50/Ti 10/Au 1
    -> 20Hz/sqrt(Hz), Tc=650mK, Qint ~12k
    11/2014 KID_UCSB_NbSi_1 100 17.5-20k no       G214 ? (stefanos) NbSi 17.5%, 125nm -> not processed at UCSB with the high Lk pattern!
    Tc = 930 - 960mK. Good homogeneity on wafer
    12/2014 NIPEK2 111 >6k no       0806RR FZwafers same as above, only bilayer Ti 10/Al 35
    -> Tc=920mK, 2-10Hz/sq(Hz), 80kHz/pW => 2.5-12.5e-17 W/sq(Hz)
    12/2014 NIPEK3 111 >6k no       0806RR FZwafers same as above, trilayer Al 45/Ti 15/Au 1
    -> ?
    01/2015 NIPEK4 111 >6k no       0806RR FZwafers same as above, bilayer Ti 10/Al 25 -> litho problem
    01/2015 KID_UCSB_NbSi_2 100 17.5-20k no       G214   NbSi 17.5%, 125nm for UCSB -> ?
    01/2015 NIPEK5 111 >6k no       0806RR FZwafers same as above, bilayer Ag 4/Al 26 (lift-off)
                        19/01, Pief notices Al crucible was polluted
    (for all samples of 01/15 and maybe 12/14)
    01/2015 NIPEK6 111 >6k no       0806RR FZwafers same as above, bilayer Ti 10/Al 25
    ->Tc=930mK (!), 2-6Hz/sq(Hz), 70kHz/pW => 4e-17 W/sq(Hz)
    03/2015 NIPEK7 111 >6k no 525 ~25 no   0806RR FZwafers bilayer Ti 10/Al 25 for 1000 pixel matrix -> the wafer was badly processed at NEEL
    05/2015 NIPEK8 111 >6k no 525 ~25 no   0806RR FZwafers bilayer Ti 10/Al 25 for 1000 pixel matrix
    11/2015 CALPEK1 111 >40 no 355-405 P SSP   neel bilayer Ti 10/Al 25 for Calder (phonon KID for double beta)
    11/2015 CALPEK2 100 17.5-20k no 350 no DSP G214 ? (stefanos) bilayer Ti 33/Al 25
    05/2016 CALPEK3 100 >10k no 380 no DSP   sapienza bilayer Ti 33/Al 25
    10/2016 CALPEK4 100 <10k no 380 no DSP   sapienza bilayer Ti 10/Al 25
    11/2016 CALPEK5 100 <10k no 380 no DSP   sapienza bilayer Ti 33/Al 25
    12/2016 CALPEK6 100 <10k no 380 no DSP   sapienza trilayer Al 14 / Ti 33 / Al 30
    ->Tc=805mK, Qint=200k
    best resolution, but more noise than Al

    after 6 months, Qint degraded to 50k
    10/2017 CALKAL1 100 <10k no 380 no DSP   sapienza Al 60nm for comparison with sapienza
    10/2017 CALPEK7 100 <10k no 380 no DSP   sapienza trilayer Al 15 / Ti 50 / Al 25
    10/2017 CALSAFPEK1 C-plane     330   DSP S6225 cristek Sapphire back-side coated with Ge 200nm,
    trilayer Al 14 / Ti 33 / Al 30
    dicing cut the chips along the TL !!
    10/2017 CALSAFPEK2 C-plane     330   DSP S6225 cristek same as before
    Ge was on the same side as KID !!
    01/2018 CALPEK_hs1801a 100 <10k no 380 no DSP   sapienza trilayer Al 14 / Ti 33 / Al 30 (5x5cm)
    01/2018 CALPEK_hs1801 100 <10k no 380 no DSP   sapienza trilayer Al 14 / Ti 33 / Al 30 (5x5cm)
    02/2018 CALPEK_hs1802a 100 <10k no 380 no DSP   sapienza trilayer Al 14 / Ti 33 / Al 30 (5x5cm)
    02/2018 CALSAFPEK3 C-plane     330   DSP S6225 cristek Sapphire back-side coated with Ge 200nm,
    trilayer Al 14 / Ti 33 / Al 30
                         
    Historique

    2012-01
    Obtention d'un contrat P2IO avec quelque k€ pour test NbSi à haute fréquence pour détecteurs.

    2012-06
    Départ d'une collaboration avec SRON (Jochem Baselmans + Pascale Diener) pour tester rapidement les performances de NbSi pour les KIDS. Couche déterminée à 21% 200nm pour avoir la bonne inductance cinétique par rapport à designs existants à SRON.

    Envoi de dessin de masque par Jochem (2 étapes, voir + loin) avec design Pascale Diener pour haute inductance kin, et design (Oxford ??) pour résonateurs discrets et absorbeur , et de 5 wafers aux bonnes caractéristiques (NB: indications surprenantes sur la boite, par rapport aux specs déterminées en visio conf 2012/06/01) pour faire les tests optiques (design avec absorbeurs)

    2012-07
    Achat de 2 masques de litho 680€/UT par CSNSM (motifs de 2µm min +/-0,15µm)

    2012-07
    Première couche faite par Laurent Bergé 200nm 21% (voir résultats RBS)
    Premiers tests de litho ratés à cause de confusion entre wafers SRON et wafers perso

    2013-03
    Nouvelle couche faite par Louis et Laurent 2013-02-21, plus processing réussi en salle blanche au SPEC.
    Téléconf avec Alessandro Montfardini: début de définition du périmètre de la collaboration

    2013-07
    Mesure des KIDs à SRON, avec Hélène

    2013-09
    Nouvelle couche sur wafer 3" aux specs pour Neel
    ratage à cause tournette défectueuse, et présence poussières sur wafer

    2013-10
    Analyses terminée pour les KIDS SRON: résultats décevants pour le bruit et la fonction de réponse.

    2013-11
    Nouvelle couche sur wafer 3" pour Neel
    Procédure de chargement - déchargement en salle blanche au spec sous hotte solvant semble marcher pour éviter contamination par poussières.
    Il y a une erreur de design. Les résonances lumped sont à très basse fréquence, et semblent toutes mélangées. On ne peut pas déduire grand chose de ces mesures.

    Téléconf le 15/11 avec SRON,
    Ne sont pas intéressés pour continuer. Sont engagés pour au moins 2 ans dans autre chose. N'ont pas beaucoup d'idées ou de volonté pour publier les données déjà prises, mais seraient d'accord pour au moins confirmer les données prises, notamment un truc intéressant: la 'sensitivity' augmente avec la puissance à basse puissance.

    2014-06
    Essaye le trilayer Al/Ti/Au que Hélène a développé pour BPC. Les mesures d'optique sont très intéressantes car il ne semble pas y avoir d'états dans le gap, contrairement à NbSi, et TiN.

    Se lance dans une nouvelle piste de développement de multilayers pour KIDS
    1er essai avec Ir (il faut environ 4% volumique pour descendre la Tc de Al à 900mK)

    2014-08
    Mesures Ir/Al: les Tc sont bien abaissées, mais on remarque que
    - Ir à si faible épaisseur ne semble pas protecteur comme on aurait pu le craindre -> faut bien le mettre sous l'Al
    - Les résonances n'ont pas un bon Q interne. Cela vient-il de la fabrication (gravure IBE)?
    - Les couches sont d'aspect granuleux. Cela pourrait venir d'un problème d'adhésion de Ir.

    On suspecte que l'Al de CSNSM est problématique car les transitions en DC sont très bizarre. En effet, après examen, il s'avère qeu c'est de l'Al/Si (basse radioactivité)
    On va refaire en process lift-off et faire plusieurs essais d'épaisseur pour régler la Tc.

    On va aussi tenter le bilayer Al/Ti (Ti en dessous)
    A partir de maintenant toutes les évaps sont faites à Saclay

    2014-09 & 10
    Différents essais de bilayers Ti/Al en local pour déterminer Tc et pertes internes.
    Surprenant, premier test PEKID1 avec mauvais vide pour Ti marche bien, 2è test PEKID2 avec bon vide pour Ti mais taux d'évap différent ne marche pas du tout (pas de résonance). Mesuré plus longtemps après fabrication (vieillissement ou taux d'évap? -> il faudrait remesurer PEKID1 pour savoir).

    2014-11 & 12
    Puis à partir de novembre, envoi de couches à processer et mesurer en optique à Grenoble. NIPEK (Neel Institute Proximity Effect Kid).

    - Le premier trilayer NIPEK1 est inspiré du trilayer de CPB qui a bien marché (04/2014), mais son épaisseur est beaucoup réduite (50 / 10 / 1, au lieu de 130 / 20 / 10). Tc = 683mK +/-2, Qint ~10k, mais beaucoup de bruit.
    Spectre d'absorption optique n'est pas très raide.
    - Le deuxième NIPEK2 est un bilayer Ti 10/Al 35, Ti en dessous. Meilleurs résultats obtenus jusqu'ici. bruit 2-10Hz/sqrt(Hz), Qint ~10k à 20k (loaded). 
    Spectre optique similaire.
    - NIPEK3 est à nouveau un trilayer 45 / 15 / 1 (essaye de rendre Ti protecteur). 

    Téléconf le 7/01/2015. Andrea Catalano, Alessandro Monfardini, Johannes Goupy, hls
    Vont mesurer NIPEK2 plus finement pour le caractériser pour d'éventuelles manips à l'IRAM. Serait potentiel candidat, à confirmer. En attendant on essaye de faire encore mieux.
    Pistes: continuer Ti/Al, essayer Al/Ag
    But est d'avoir une matrice opé avant juin 2015.

    2013-07 Manip KIDS avec SRON

    Idée: utiliser le setup ('dark' measurement) de SRON pour mesurer
    - Lk(T)
    - QP lifetime (T)
    - noise
    + évaluation rapide performances de NbSi pour KIDS dans setup optique.

    Designs utilisés: ceux de Pascale Diener réalisés pour TiN en résonateurs continus, avec différentes inductances cinétiques (0, 10pH, et 100pH). La ligne de transmission est en Al (facile de faire 50ohms) et les résonateurs sont en NbSi (leur plan de masse aussi) -> 2 étapes de litho. Nom du design 'Duo'.

    Autres designs KIDS sur le même masque:
    - résonateurs continus, tout en NbSi y compris TL (+ difficile pour 50ohms) -> nom 'Mono'.
    - résonateurs continus avec plan de masse et TL en Al (+ hasardeux pour l'alignement réson NbSi versus plan masse en Al) -> nom 'Kidmix'


    extrait du fichier gds envoyé par SRON:
    en haut, résonateurs pour mesures KIDS avec illumination
    en bas, mesures 4 fils de résistance DC
    en vert: layer aluminium (150nm), en bleu: layer NbSi (200nm 21% pour Lksq~25pH)
    Masques pour gravure en résine positive ou évap en résine négative

    2013-11 Manip avec NEEL

    Idée: le setup de NEEL (Martin Pupplet) permet de mesurer le spectre d'absorption optique des KIDs.
    On envoie dans le frigo par des fenêtres optiques un rayonnement de corps noir, qui est splitté puis recombiné pour interférer constructivement/destructivement en fonction de la différence et de la longueur d'onde.
    En changeant la différence de marche on sélectionne donc la longueur d'onde.
    En même temps on monitore la fréquence de résonance du KID et on en déduit le spectre d'absorption par FFT du signal f0(delta)
    Ce spectre doit présenter un seuil au gap (90GHz pour l'Al) et une fréquence max liée à la coupure par des filtres optiques+.

    Designs utilisés:
    Pour NbSi ce sont des designs refaits par l'étudiant (Nello) mais qui ne sont pas pour la bonne inductance cinétique, donc les résultats sont peu expoitables (Nisba_v1)
    Pour les multilayers, on utilise les designs déjà testés de NIKA.

    Was this page helpful?
    Mots clés (Modifier les mots clés)
    • No tags
    Vous devez être connecté pour poster un commentaire.
    Propulsé par MindTouch Core