M_10 : Dead après NbSi
M_10 : Dead après NbSiEdit

Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
	University wafer		SOI + SiN LPCVD	10.000A Super low stress
	CTU	SM	Enrésinement pour lift-off Electrodes Nb	AZ5214 QUBIC_250 Routage méandre	Difficile d'obtenir des flancs en casquette avec la AZ5214 sur les wafers SOI
02/12/2013	CSNSM	LD	Ar / Evaporation Nb/Ir	200A/30A	200A / 30A
05/12/2013	CTU	SM	Lift-off	Acétone-Isopropanol	+ ultrasons
09/12/2013	CTU	DN	Enrésinement pour lift-off senseur NbSi	AZ5214 QUBIC_250 NbSi méandre	Problème de l'effet casquette sur la résine
xx/12/2013	CSNSM	LB	Evaporation NbSi	500A 14.5%
XX/12/2013	CTU		Lift-off	Acétone-Isopropanol	Lift impossible
10/01/2013	CTU	BB			Netoyage complet de l'échantillon à l'acide. Wafer disponible pour nouveau process