M_21
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Sommaire

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Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
	University wafer		SOI (5-5-500microns) SiN LPCVD (1 micron)
13/02/14	CTU	DN	Enrésinement pour lift-off routage Nb	LOL2000 + AZ5214 QUBIC_250 Routage méandres	Masque routage méandres résine LOL + AZ5214
17/02/14	CSNSM	LB	Evaporation Nb + Ir		150A Nb + 30A Ir
	CTU	DN	Lift-off		Lift-off difficile, le Nb se recolle sur l'échantillon. Nettoyage par bains successifs de MIF726 + US + acétone + US puis 5 min plasma O2 délaqueur PICO
28/02/14	CTU	DN	Enrésinement pour lift-off senseur NbSi	AZ5214 QUBIC_250 NbSi Peigne	Résine AZ5214 + primer (pas de LOL) - recuit 115° 1 min - 1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min - 2 ème inso: 12s - dév 22s MIF726 5 ou 6 essais de lithographie avant de sortir les motifs
04/03/14	CSNSM	LB-SM	Evaporation NbSi	500A-15,50%	%Nb: 14,83 500A Q2 Si bruyant...
08/03/14	CTU	DN	Lift-off	Acétone-Isopropanol	+ ultrasons
10/03/14	CTU	DN	Enrésinement pour lift-off Pads Al	AZ5214 QUBIC_250 Pads	Résine AZ5214 + primer - recuit 115° 1 min - 1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min - 2 ème inso: 12s - dév 25s MIF726
11/03/14	CTU	DN	Plasma O2	RIE STS	10s
			Evaporation Al	Evap Plassys	2000 A, v=0.3nm/s, I=0.27A
			Lift-off	Acétone	Rinçage iso puis eau
12/03/14	CTU	DN	Enrésinement pour lift-off Grille TiVa	AZ5214 QUBIC_250 Grille v3	Résine AZ5214 + primer - recuit 115° 1 min - 1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min - 2 ème inso: 12s - dév 25s MIF726
17/03/14	CSNSM	LD	Evaporation TiVa	TiV + SiO	TiV 7% 149 A tournant SiO 170 A sans tourner
17/03/14	CTU	DN	Lift-off	Acétone	10 min ultrasons
20/03/14	CSNSM	SM	Mesures à froid
	CTU		Enrésinement pour ouverture membrane	S1813 QUBIC_250 Deep RIE
	CTU		gravure SiN	RIE
	CTU		Retrait résine	Acétone
	CTU		Gravure profonde Si
	CTU		Enrésinement structuration membranes	AZ5214 QUBIC_250 Membranes v3 Hard contact
	CTU		gravure SiN	RIE
	CTU		Gravure Si résiduel	XeF2
	CTU		Retrait résine	RIE