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QUBIC250_Méandre
QUBIC250_MéandreEdit

    Liste des échantillons

    M_01

    M_02

    M_04

    M_10

    M_21

    Des résultats

    Grille M_04 ?

    Principe

    Test conductivité thermique et capacité calorifique (Capacité calorifique du SiN+NbSi+electrodes+grille en Ti)

    Contraintes

    Modifier la section

    Idem

    Design

    wafer QUBIC_P.png

    matrice 250 pixels

    Méandre.png

    zoom sur un pixel

    Electrodes.png

    zoom sur électrodes

    Etapes de fabrication

    Sur wafer 3" Si (400microns)/SiN LPCVD (5.000A Super Low Stress)

    1. Lift-off Electrodes (Nb(100A)/Ir)
    2. Lift-off TES (NbSi, 500A - 14,5%)
    3. Lift-off Grilles (TiV - ?A)
    4. Lift-off Pads (Al ~1500A)
    5. RIE Membranes pleines (SiN LPCVD)
    6. Gravures KOH Membranes pleines (Si-bulk)
    7. RIE Membranes structurées (SiN LPCVD)
    8. Gravure XeF2 Membranes structurées (Si résiduel)
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