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What you should care about
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    Sommaire
    aucun titre

    Optical lithography

    ALWAYS think your masks for only one full wafer, and not for several pieces of wafers for different applications. Optical lithography is made for full wafers, and doing it for small pieces is anyhow unpractical. But more important, is that when you try to expose a chip which is not centered on your mask, then you cannot ensure flatness between your chip and  your mask, and the lithography is spoiled.
    So the word is: don't be greedy. Order 2 masks if necessary.

    e-line exposure

    - do not make big polygons (cf: 21/12/2011). There will be a 'cormeb error' when trying to split the polygon prior to exposition of your gds, and the polygons will not be exposed.
    Instead, you should fracture the polygons manually.
    'big' is to be defined exactly. This might be a question of number of points

    -

    Bonding Parameters

    • On the TPT HB10 bonding machine at SPEC:

    First bond on Au:
    P US =  400 à 480 mW
    time =  200 ms
    Force = 300 à 350 mN (NB: 350 trop fort)

    Second bond on Nb (works with 50nm Nb without sticking layer):
    P US = 400 mW
    time = 150 ms
    Force = 300 mN

    From Nb to Nb: 
    bond 1 : 480 / 200 / 250
    bond 2 : 480 / 200 / 250

    observation: Il faut faire en manuel, avec un mouvement de retour au ras de la surface avant de le 2è bond pour avoir un profil en boucle pour le fil (donner un peu de souplesse dans le fil, car les distances entre bond sont très courtes), et éviter que le 1er bond ne se décolle sous la contrainte. ça permet aussi d'être sûr qu'on ne court-circuite pas la piste au-dessus de laquelle on passe.

    • On the CSNSM westbond 7400B:
    First bond on Au:
    P US = 150 mW
    time 70 ms
    Force = 40g (400mN)
     
    Second bond on Nb (works with 50nm Nb without sticking layer):
    P US = 160 mW
    time = 70 ms
    Force = 40g
     
    NB: Toutes les valeurs de puissance supérieures à 200 ont pour résultat de pulvériser le départ du fil au niveau du 1er bond
    Re-NB: réglage de la force avec molette sous le bras de bonding. je la règle à 40g pour high et 35g pour low.
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