What needs be developped
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Sommaire

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résonateurs
On veut voir une résonance à la bonne fréquence avec le bon facteur de qualité.
Couche de Nb 50nm faite par Louis, pleine plaque
MaN (résine négative): mise au point épaisseur
Exposition e-line: mise au point stitching + dose
Gravure RIE CF4+Ar: mise au point vitesse de gravure
Bonding sur céramique + refroidissement 4K / mesure
( Possible qu'à 4K les pertes internes dominent encore et qu'il faille aller à 1K)

Pris Couche de Nb 150nm car pb d'accroche couche 50nm lors de bounding
Choix de la résine : PMMA(positive)/UVIII(positive)/MaN(negative)+evaporation_Al+liftoff/
avantages PMMA->résolution fine et sait que ça marche, pas de problèmes de résidus à RIE d'apres Vivien (voir 26/07/2012)
UVIII->litho plus rapide car dose beaucoup plus faible (de l'ordre de 20mJ/cm²) et résolution largement suffisante pour taille des gros motifs
MaN ->layer Aluminium protège bien de la gravure RIE, à garder sous la main si problème de gravure RIE
mise au point épaisseur résine (pas critique pour MaN)
Exposition e-line: mise au point stitching + dose
gravue RIE CF4+Ar: mise au point vitesse de gravure
paramètres de bounding
Mesures à 4k pour voir si résonance à la bonne frequence (environ 5GHz) avec facteur de qualité voulu
Litho motifs fins
On veut déterminer la dose nécessaire pour sortir des motifs de 50nm à 100nm (pas la même dose pour tous, de 70% à 130% de dose nominale de PMMA par pas de 10%)
wafer de test Si/SiO2 pas cher standard
Bilayer PMMA + MAA: mise au point épaisseur
expo e-line ou philips: mise au point dose, mise au point developpement
à priori ne fera le développement de MAA que avec parametres grossiers sur ce test. Sera testé au test 3.
controle : evap e-beam 50nm Au @ 1nm/s+ lift-off
ou spottering Au
( Al donne un contraste moins bon à l'observation MEB)
observation MEB pour voir si PMMA est bien ouvert et possibles artefacts de developpement
Litho undercut
On veut déterminer la dose pour les boites d'undercut et vérifier qu'on arrive à obtenir le déplacement voulu sous angle
On peut faire ce test de deux manieres
-Il faut un motif facilement "clivable" -> semble difficile à la vue des dimensions.. ! doit avoir une ouverture de l'ordre de 50nm d'ouverture dans PMMA .. ou alors faire des lignes assez longue (20micro de long) -> perte de temps au niveau de la litho ..(+ risque affaissement lors du clivage ?) + observation sera faite au MEB sous angle
Autre méthode; plus simple car pas de pb de clivage .. regarder apres évap sous angle !

wafer de test Si/SiO2 pas cher standard.
Bilayer PMMA + MAA
expo e-line ou philips: mise au point dose undercut, mise au point developpement
Peut être qu'il faudra rallonger le développement (évacuer le MAA à travers les fentes de PMMA, surtout aux endroits fins)
evap e-beam 50nm + 50nm Au @ 1nm/s, sous angle: vérif angle / épaisseur bilayer
lift-off
observation MEB
jonction tunnel
On veut obtenir la bonne résistance de jonction tunnel (réglage du couplage Josephson)
wafer de test Si/SiO2 pas cher standard
Bilayer PMMA + MAA
expo e-line ou philips
evap e-beam 50nm + oxidation + 50nm Al @ 1nm/s, sous angle: mise au point paramètres d'oxidation
lift-off
Test sous pointe de la résistance 300K de la jonction
Peut être qu'il faudra faire un test à basse température (à vérifier avec Hugues)