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Dry etch
Dry etchEdit

    Sommaire
    aucun titre

    Summary of dry etching recipes used, and their etching rates

    • Useful quantities:

    /!\ le laser n'est pas celui d'origine. longueur d'onde 670nm en 2013.
    1 période oscillation PMMA = 223nm gravé
    1 période oscillation S18 = nm gravé

    • recipe 1: CF4 / Ar 20cc/10cc, 50µb, 50W <-> 190V

     

    layer short time etch rate
    [nm/s]    		 long time etch rate
    [nm/s]    		 latency
    [s]
    Al   <0.02  
    Nb 0.4 0.7 - 0.8 ~10
    Si   0.82  
    SiO2   0.5  
    PMMA   2.45 - 2.6  
    UV3   1.7 - 2  
    S18   0.65 **  

    related work: 2013-06
    ** from Vivien Schmidt (not verified)

    • recipe 2: O2 20cc, 100µb, 15W <-> 120V

     

    layer short time etch rate
    [nm/s]    		 long time etch rate
    [nm/s]    		 latency
    [s]
    Al      
    Nb      
    Si      
    SiO2      
    PMMA      
    UV3      

    related work: 1.25 period PMMA in 1'50 on 2014-12 (test Ge)

    • recipe 3: SF6 5cc, 2µb, 10W <-> 85V
    layer short time etch rate
    [nm/s]    		 long time etch rate
    [nm/s]    		 latency
    [s]
    Al      
    Nb      
    Si      
    SiO2      
    PMMA      
    UV3      

     

    related work: 2014-12 (test Ge)

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