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Préparation de l'échantillon
-Mettre échantillon sur le Sample holder en prenant soin de placer l'échantillon de maniere à ne pas cacher de parties à exposer et en tentant de l'aligner le mieux possible.
-fermer vanne de la colonne du canon (open column valve)
-ventiler chambre transfert  en vérifiant qu'elle ne soit pas ouverte sur la chambre de travail (Airlock/vent)
-ouvrir chambre de transfert
-Placer le sample holder en prenant soin de bien le positionner (à l'aide du petit cône de placement)
-fermer chambre de transfert
-mettre chambre de transfert à pomper(Airlock/pump)
-lorsque pression est suffisament basse (Airlock Ready = Yes ou diode verte à côté de la chambre allumée) ouvrir la valve entre la chambre de travail et la chambre de transfert
-vérifier que la platine est en position "Exchange Low" et pousser l'échantillon à l'intérieur lentement en vérifiant sur l'écran TV.
-mettre la platine en position "Exchange high"
-Retirer le bras de transfert et refermer la valve
-Ventillez l'airlock (sinon problème d'étanchéité)
-ouvrir vanne de la colonne du canon (open column valve)

Préparation des paramètres d'exposition
-Choisir la tension de travail (EHT target correspondant au champ electrique utilisé pour extraire les e- du fil du canon)
-Allumer la haute tension du faisceau (beam on)
-Choisir la taille du diaphragme en sortie du canon (l'Aperture size va définir l'intensité de l'exposition de la résine)
    Rq : ne pas se mettre en mode "high current" si ce n'est pas nécessaire. Ceci dérègle la machine d'après Denis (fait fortement dévier les paramètres d'utilisation ..)
-faire un test d'intensité du faisceau en dirigant le faisceau sur la cage de faraday
     -> faire la mise au point sur le bord de la cage de faraday, régler la position de l'aperture, et zoomer au maximum au centre de la cage pour que le faisceau soit bien focalisé à l'intérieur.
     -> lire l'intensité.
-Calculer les paramètres d'exposition apres avoir renseigné la dose (avec minimum dwell time 0.3 µsec).

Placement dans le référentiel de l'échantillon
-allez sur un coin de l'échantillon
-faire la mise au point (focus) sur l'échantillon et lire la coordonnées W (défini par la distance de l'échantillon par le focus)
-Se placer à la distance de travail (usuelement W=10mm) 
distances absolues et relatives !
        Etre pret à appuyer sur le bouton "STOP" !
-définir l'angle de rotation du référentiel par rapport à l'axe XY originel
-définir l'origine du reférenciel UV (dépend de la définition de l'origine dans le dessin.gds)

- (facultatif) définir points 1/2/3 correspondants aux bords de l'échantillon et leurs coord dans le repère UVW.
    Rq : d'après hélène, sauvegarde les focus lors de cette étape ! -> important de bien vérifier les focus !
-régler le stigmatisme (peut utiliser l'outils "focus wobble")
    Rq : peut etre fait sur "Chessy"

Correction des paramètres de champ d'écriture "writing field"
-sélectionner la taille du champ d'écriture et le grossissement associé (dans microscope control)
-Zoomer sur un motif facilement reconnaissable et lancer les correction de write field en affinant (avec des imperfections de 25micro jusqu'a 1micro). Vérifier que les parametres convergent. peut en profiter pour vérifier/afinner le stigmatisme.
-Apres opération, se remettre à la distance de travail .

méthode denis
-> le faire sur une poussiere de l'échantillon (peut etre compliquer..on n'arrive pas à faire converger les paramètres..)
nous
-> le faire sur le damier du porte échantillon ("chessy") en le placant à la même distance que l'échantillon à distance de travail !
(Ne sais pas comment est fait le chessy ..
génant si problème de charges du substrat (si substrat isolant, se charge avec canon à e- et donc deflection du champ à cause de force coulombienne?) ?
Verra après test de double layer PMMA/MMA sur SiO2/Si.
Pour couches de métal à graver, pas de problèmes (bon écoulement des charges)).

Rq ; On a remarqué que rotation du champ d'écriture est proportionnelle à la rotation du repère UV dans le plan. A priori, on peut donc rentrer simplement ce paramètre en s'appuyant sur la correction de la rotation du writefield dans le repère XY.
  les paramètres dérivent au cours du temps ..
 

Lancement de la lithographie
-vérifier pas de rotation de Scan !!!
-importer le dessin si ce n'est pas déja fait (format .gds)
-définir les propriétés d'expositions (zone à exposer, position du milieu du 1er champ,taille des "pixels" ..)
-vérifier le positionnement de l'échantillon (peut utiliser les points 1/2/3 pour servir de guide visuels sur le dessin)
-Lancer exposition

Rq : Si problème de fracturation, découper les polygones du dessin.

Procédure de retrait de l'échantillon
Couper gun
Fermer colonne pour protéger filament
descendre platine position exchange high
lancer pump airlock
ouvrir SAS quand ok
avancer bras de transfert
descendre ech
transferer ech et locker SAS
vent airlock
récupérer ech
remettre en conditions standard