Mesures R(T)

    Mauvaise Tc

    Fiche process

    Date Labo Intervenant Technologie Caractéristiques Remarques - Masque

     

    University wafer  

    SOI (5-1-500microns)

    SiN LPCVD (1 micron)

       
    10/01/14 CTU BB Attaque Acide   Netoyage d'un dépot Nb pour repartir à zero
    14/01/14 CSNSM LD

     Evaporation Nb 250A + Ir 30A

    (évaporateur bolo)

     

    Nb: 250A Pleine plaque + Ir 30 A
    12/02/14 CTU BB Enresinement RIE Nb Masque routage peigne Résine S1805 - recuit 1min30s à 115°
    Insolation 25mJ/cm2 hard contact
    Dév 25s dans 351:EDI (1:4)
    12/02/14 CTU BB+DN RIE Nb RIE AV 150 mTorrs 100W 50sccm de SF6
    durée: 4 min 30s
    Nettoyage résine acétone + US
    17/02/14 CTU DN Enrésinement pour lift-off senseur NbSi

    LOL2000+ AZ5214

    QUBIC_250 NbSi Peigne

    LOL (150° 5 min) + AZ5214 (125° 1 min)
    1ere inso: 2s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 12s - dév 25s MIF 726
    03/03/14 CSNSM LB-SM Evaporation NbSi 500A-15,50% %Nb: 15,46 500A p: 2,0.10-7
    04/03/14 CTU DN Lift-off

    Acétone-MIF726

    + délaqueur

    Lift-off du NbSi puis bains acétone, MIF 726 + US + rinçage
    5 min plasma O2 délaqueur PICO
    05/03/14 CTU DN Enrésinement pour lift-off Pads Al

    AZ5214

    QUBIC_250 Pads

    Primer + AZ5214 (recuit 115° 1 min)
    1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 12s - dév 25s MIF726
    06/03/14 CTU DN O2 clean   10s plasma O2 RIE STS
          Evaporation Pads Al 2000A v = 0.3nm/s  I = 0.27A
          Lift-off Acétone  
    07/03/14 CTU AG+CP Mesures I(V)   Voir carto en bas de page
    12/03/14 CTU DN Enrésinement pour lift-off Grille TiVa

    AZ5214

    QUBIC_250 Grille v3

    Primer + AZ5214 (recuit 115° 1 min)
    1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 12s - dév 25s MIF726
    14/03/14 CSNSM

    LD

    Evaporation TiVa TiV + SiO TiV 7% 146A QP tournant  + SiO 175 A sans tourner
    17/03/14 CTU DN Lift-off Acétone 20-30 min  ultrasons
    20/03/14 CSNSM SM Mesures à froid   Mauvaise Tc
    15/04/14 CTU DN+CP Enrésinement pour ouverture membrane

    AZ4562

    QUBIC_250 Deep RIE

    Insolation 40s - Développement 5 min

     dans AZ 400K:eau (1:4)

    17/04/14 CTU DN gravure SiN RIE recette Nitiram
    18/04/14 CTU DN Gravure profonde Si + SiO2 ICP SPTS Recette QuBIC_etch puis QuBIC_stop_layer 70 cycles puis recette bb2904o100-1miox
    22/04/14 CTU DN Nettoyage résidus polymère gravure RIE STS

    Recette Neel-Si 30s

    SF6 72 sccm - 100mTorr - 20 W

    22/04/14 CTU DN Nettoyage résine  

    Rinçage IPA pour nettoyage graisse puis acétone et 1165

    O2 clean délaqueur 5 min (inutile)

    => plus propre que P16

    1 seul pixel cassé

    23/04/14 CTU DN Enrésinement structuration membranes

    AZ5214

    QUBIC_250 Membranes v3

    Soft contact

    Primer + AZ5214 (recuit 115° 1 min)
    1ère inso: 2s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 12s - dév 25s MIF726

    Alignement moyen. Aucun nouveau pixel cassé

    23/04/14 CTU DN gravure SiN RIE STS 38 min recette Nitiram
    24/04/14 CTU DN Gravure Si résiduel XeF2

    110° à l'étuve pendant 1h 15min puis sous vide dans le XeF2 toute la nuit

    100 cycles = > il reste du Si sous les bolos au centre

    + 30 cycles supplémentaires = > OK mais le Si3N4 est attaqué sur les bords (rugosité)

    24/04/14 CTU DN Retrait résine RIE AV Face avant: 8 min recette Plasma Factory Log
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