Sommaire
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    Date Labo Intervenant Technologie Caractéristiques Remarques - Masque

     

    Si-Mat  

    SOI (5-1-500microns)

    SiN LPCVD (0.5 micron)

       
    09/09/14 CTU DN Litho routage Nb

    AZ5214

    QUBIC_250 routage Peigne

    primer + AZ5214 (115° 1 min)
    1ere inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 12s - dév 28s MIF 726

    hotte litho 19° 45% humidité

    => parfait ! belle casquette, très peu de poussières

    12/09/14 CSNSM LB Evaporation Nb/Ir 250 A Nb + 30 A Ir p : 4.10-8
    16/09/14 CTU DN Lift-off  

    Acétone chaud + ultrasons 5 min

    => OK !

    13/10/14 CTU DN Enrésinement pour lift-off senseur NbSi

    AZ5214

    QUBIC_250 NbSi Peigne

    Litho MJB4

    primer + AZ5214 (115° 1 min)
    1ere inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 12s - dév 28s MIF 726

    Litho réussie au 5ème essai !

    07/11/14 CSNSM LB-SM Evaporation NbSi 15.50% - 300A 15.49% p: 4.10-7
    07/11/14 CSNSM SM Lift-off

    Acétone

    Lift-off du NbSi, rinçage eau DI

    09-14/11/14 CSNSM SM Mesures à froid    
    17/11/14 CTU SM Enrésinement pour lift-off Pads Al

    AZ5214

    QUBIC_250 Pads

    Primer + AZ5214 (recuit 115° 1 min)
    1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 13s - dév 28s MIF726
    Pas fait CTU   Délaqueur   12 s plasma O2 RIE STS
    17/11/14 CTU LD Evaporation Pads Al 2000A

    Pas de décapage

     Evaporateur CSNSM

    18/11/14 CTU SM Lift-off Acétone Rinçage iso et eau
    18/11/14 CTU SM

    Erreur de manipulation

    Le wafer est trempé dans du MIF319 (developpeur)

    L'Aluminium des Pads est dissout. Une nouvelle étape Pads Al sera faite après le TiV  
    18/11/14 CTU SM Enrésinement pour lift-off Grille TiV

    AZ5214

    QUBIC_250 Grille v3

    Primer + AZ5214 (recuit 115° 1 min)
    1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 12s - dév 28s MIF726
      CSNSM   Evaporation TiV + SiO   155A TiV + 150 A SiO
      CTU   Lift-off Acétone 10 min ultrasons - rinçage iso + eau
      CTU   Enrésinement pour ouverture membrane

    AZ4562

    QUBIC_250 Deep RIE

    AZ4562 recuit 1h 90°

    + AZ9260 pour protection face avant

    recuit 5 min 70°

    Insolation 40s - Développement 5 min

     dans AZ 400K:eau (1:4)

      CTU   gravure SiN RIE  
      CTU   Gravure profonde Si et SiO2 ICP SPTS  
      CTU   Nettoyage polymère Plasma SF6  
      CTU   Retrait résine   IPA pour graisse thermique puis acétone + 1165 chaud pour la résine
      CTU   Enrésinement structuration membranes

    AZ5214

    QUBIC_250 Membranes v4

    Soft contact

     
      CTU   gravure SiN RIE  
      CTU   Gravure Si résiduel XeF2  
      CTU   Retrait résine RIE  
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