Sommaire
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    Date Labo Intervenant Technologie Caractéristiques Remarques - Masque

     

    University wafer  

    SOI (5-1-500microns)

    SiN LPCVD (0.5 micron)

       
    20/05/14 CTU DN Litho routage Nb

    AZ5214

    QUBIC_250 routage Peigne

    primer + AZ5214 (115° 1 min)
    1ere inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 13s - dév 25s MIF 726
    22/05/14 CSNSM LB Evaporation Nb/Ir Nb(150A) + Ir (30A) Nb(150A) + Ir (30A)
    03/06/14 CTU DC + DN Lift-off  

    24h acétone

    1165 + US pour enlever des résidus tenaces

    => OK

    04/06/14 CTU DN Enrésinement pour lift-off senseur NbSi

    AZ5214

    QUBIC_250 NbSi Peigne

    primer + AZ5214 (115° 1 min)
    1ere inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 13s - dév 25s MIF 726

    casquette peu marquée

    10/06/14 CSNSM LB-LD Evaporation NbSi 500A-15,50% + 125A SiO

    15.44 %Nb: % ; 125 A SiO

    (moyenne faussée par paillette tombée dans Nb)
     

    11/06/14 CTU DN Lift-off

    Acétone

    Lift-off du NbSi, rinçage IPA, eau + US

    => une rangée de bolos coupée +  petits fragments de NbSi un peu partout

    12/06/14 CTU DN Enrésinement pour lift-off Pads Al

    AZ5214

    QUBIC_250 Pads

    Primer + AZ5214 (recuit 115° 1 min)
    1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 13s - dév 28s MIF726
    13/06/14 CTU DN Délaqueur   12 s plasma O2 RIE STS
    13/06/14 CTU DN Evaporation Pads Al 2000A

    Pas de décapage Ar

     Evaporateur Plassys

    v = 0.3nm/s, I=0.33-0.35A, P = 4.5x10-7 Torr

          Lift-off Acétone Rinçage iso et eau + un tout petit peu d'US
    16/06/14 CTU CP Mesures I(V)    
    18/07/14 SM SM Mesures à froid    
      CTU DN Enrésinement pour lift-off Grille TiVa

    AZ5214

    QUBIC_250 Grille v3

    Primer + AZ5214 (recuit 115° 1 min)
    1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 12s - dév 25s MIF726
      CSNSM LD Evaporation TiVa    
      CTU DN Lift-off Acétone 10 min ultrasons ? - rinçage iso + eau ?
      CTU   Enrésinement pour ouverture membrane

    S1813

    QUBIC_250 Deep RIE

     
      CTU   gravure SiN RIE STS  
      CTU   Gravure profonde Si et SiO2 ICP SPTS  
      CTU   Nettoyage polymère Plasma SF6  
      CTU   Retrait résine   IPA pour graisse thermique puis acétone + 1165 chaud pour la résine
      CTU   Enrésinement structuration membranes

    AZ5214

    QUBIC_250 Membranes v4

    Soft contact

     
      CTU   gravure SiN RIE STS  
      CTU   Gravure Si résiduel XeF2  
      CTU   Retrait résine RIE AV  
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