Sommaire
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    Date Labo Intervenant Technologie Caractéristiques Remarques - Masque

     

    Si-Mat  

    SOI (5-1-500microns)

    SiN LPCVD (0.5 micron)

       
    05/06/14 CTU DN Litho routage Nb

    AZ5214

    QUBIC_250 routage Peigne

    primer + AZ5214 (115° 1 min)
    1ere inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 13s - dév 35s MIF 726
    10/06/14 CSNSM LB Evaporation Nb/Ir Nb(250A) + Ir (30A) 250A Nb + 30A Ir
    11/06/14 CTU DN Lift-off  

    acétone puis 1165 chaud (65°) ultrasons 4 min

    => OK

    12/06/14 CTU DN Enrésinement pour lift-off senseur NbSi

    AZ5214

    QUBIC_250 NbSi Peigne

    primer + AZ5214 (115° 1 min)
    1ere inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 13s - dév 28s MIF 726

    16/6/14 CSNSM LB-SM Evaporation NbSi 500A-15,50% + 125A SiO 15,47 %Nb: % ; 125 A SiO
    17/06/14 CTU DN Lift-off

    Acétone

    Lift-off du NbSi, rinçage IPA, eau + US

     

    18/06/14 CTU DN Enrésinement pour lift-off Pads Al

    AZ5214

    QUBIC_250 Pads

    Primer + AZ5214 (recuit 115° 1 min)
    1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 13s - dév 28s MIF726
    20/06/14 CTU DN Délaqueur   12 s plasma O2 RIE STS
    20/06/14 CTU DN Evaporation Pads Al 2000A

    Pas de décapage

     Evaporateur Plassys v = 0.3 nm/s  I = 0.25A P = 4,6.10-7Torr

    20/06/14 CTU DN Lift-off Acétone Rinçage iso et eau
    10/07/14 CSNSM SM Mesures à froid   Tc = 500mK, largeur +80mK, "rebond" dans la transition
    15/07/14 CTU DN Enrésinement pour lift-off Grille TiVa

    AZ5214

    QUBIC_250 Grille v3

    Primer + AZ5214 (recuit 115° 1 min)
    1ère inso: 1.5s - recuit 125° 1 min
    2ème inso: 12s - dév 28s MIF726
    16/07/14 CSNSM LD Evaporation TiVa + SiO   155A TiV + 150 A SiO
    17/07/14 CTU DN + CP Lift-off Acétone 10 min ultrasons - rinçage iso + eau
      CTU   Enrésinement pour ouverture membrane

    AZ4562

    QUBIC_250 Deep RIE

    AZ4562 recuit 1h 90°

    + AZ9260 pour protection face avant

    recuit 5 min 70°

    Insolation 40s - Développement 5 min

     dans AZ 400K:eau (1:4)

      CTU   gravure SiN RIE  
      CTU   Gravure profonde Si et SiO2 ICP SPTS  
      CTU   Nettoyage polymère Plasma SF6  
      CTU   Retrait résine   IPA pour graisse thermique puis acétone + 1165 chaud pour la résine
      CTU   Enrésinement structuration membranes

    AZ5214

    QUBIC_250 Membranes v4

    Soft contact

     
      CTU   gravure SiN RIE  
      CTU   Gravure Si résiduel XeF2  
      CTU   Retrait résine RIE  
               
               
               
               
               
               
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