Date | Labo | Intervenant | Technologie | Caractéristiques | Remarques - Masque |
| Wafer Si 2 pouces | poli-etché 2 faces | |||
17/05/16 | CSNSM | LB + SM | co-évap NbSi+Al | NbSI : 18% 60A Al : 1000A | (Pas de protection SiO du NbSi) |
20/05/2016 | CTU | SM | Enrésinement pour gravure Al+NbSi | AZ5214 (en inversion de masque - négative) | spin résine + prérecuit (105° 60s)
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23/05/2016 | CTU | SM | Litho Laser | Tête 4mm Filtre 1% dose 80% (nouvelle lampe LED) | Design : SUCRE_Si_2p_v1 (niveau1) |
2305/2016 | CTU | SM | Inversion résine | récuit insolation pleine plaque développement | récuit 123° - 2minutes insolation aligneur double face 12s Dév. 35s AZ developer+EDI (1:1) Les lignes de 1 et 2 microns ne sortent pas. Resine en casquette de 1 nmicron |
CTU | SM | Gravure humide Al | Alu-etch | Temps = 1m15" (1000A) Gravure pour separer les films | |
CTU | SM | Retrait resine | Acetone + Ultrasons + isopropanol | 2 minutes Petits dépots de résine qui ne partent pas | |
CTU | SM | Gravure NbSi au XeF2 | Pas de resine, (masquage par l'Al) | 25 cycles 3T 15s | |
CTU | SM | Enrésinement pour gravure Al | S1805 | spin résine + prérecuit (115° 90s) | |
CTU | SM | Litho Laser | Tête 4mm Filtre 1% dose 80% (nouvelle lampe LED) | Design : SUCRE_Si_2p_v1 (niveau2) Développement 25s, 351 + EDI (1:4) | |
CTU | SM | Gravure humide Al | Alu-etch | Temps = 1m15" (1000A) Gravure pour obtenir le film NbSi | |
CTU | SM | Retrait resine | Acetone + Ultrasons + isopropanol | 2 minutes | |
CSNSM | SM | Test cryo |
Fichier | Taille | Date | Attaché par | |||
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NbSi_thinTES.png Aucune description | 706.08 Ko | 21:48, 22 Mai 2016 | Stefanos_Marnieros | Actions | ||
SUCRE_60A.png Aucune description | 285.14 Ko | 16:16, 11 Jun 2016 | Stefanos_Marnieros | Actions | ||
SUCRE_Si2p_v1.GDS Aucune description | 5.62 Ko | 21:48, 22 Mai 2016 | Stefanos_Marnieros | Actions | ||
SUCRE_Si2P_v1.pxp Aucune description | 1297.74 Ko | 16:46, 11 Jun 2016 | Stefanos_Marnieros | Actions |