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Si 2p 60A 1
Si 2p 60A 1Edit

    Sommaire
    aucun titre
    Date Labo Intervenant Technologie Caractéristiques Remarques - Masque

     

       

    Wafer Si 2 pouces

    poli-etché 2 faces  

    17/05/16

    CSNSM LB + SM co-évap NbSi+Al

    NbSI : 18% 60A

    Al : 1000A

    (Pas de protection SiO du NbSi)
    20/05/2016 CTU SM Enrésinement pour gravure Al+NbSi

     AZ5214

    (en inversion de masque - négative)

    spin résine + prérecuit (105° 60s)

     

    23/05/2016 CTU SM Litho Laser

    Tête 4mm

    Filtre 1% dose 80% (nouvelle lampe LED)

    Design : SUCRE_Si_2p_v1 (niveau1)

    2305/2016 CTU SM Inversion résine

    récuit

    insolation pleine plaque

    développement

    récuit 123° - 2minutes

    insolation aligneur double face 12s

    Dév. 35s  AZ developer+EDI (1:1)

    Les lignes de 1 et 2 microns ne sortent pas. Resine en casquette de 1 nmicron

      CTU

    SM

    Gravure humide Al Alu-etch

    Temps = 1m15" (1000A)

    Gravure pour separer les films

      CTU SM Retrait resine

    Acetone + Ultrasons

    + isopropanol

    2 minutes

    Petits dépots de résine qui ne partent pas

      CTU SM Gravure NbSi au XeF2 Pas de resine, (masquage par l'Al)

    25 cycles 3T 15s

      CTU SM Enrésinement pour gravure Al S1805

    spin résine + prérecuit (115° 90s)

      CTU SM Litho Laser

    Tête 4mm

    Filtre 1% dose 80% (nouvelle lampe LED)

    Design : SUCRE_Si_2p_v1 (niveau2)

    Développement 25s,  351 + EDI (1:4)

      CTU SM Gravure humide Al Alu-etch

    Temps = 1m15" (1000A)

    Gravure pour obtenir le film NbSi

      CTU SM Retrait resine

    Acetone + Ultrasons

    + isopropanol

    2 minutes
      CSNSM SM Test cryo    
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