Date | Labo | Intervenant | Technologie | Caractéristiques | Remarques - Masque |
| Wafer Ge 44mm | poli-etché | |||
08/12/15 | CSNSM | LB + SM | co-évap NbSi | 13,8% 300A | |
08/12/2015 | CTU | SM | Collage wafer Ge sur wafer Si 2 pouces | résine AZ5214 récuit 105°C | |
08/12/2015 | CTU | SM | Enrésinement pour gravure NbSi | AZ5214 (en inversion de masque - négative) | spin résine + prérecuit (105° 60s)
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08/12/2015 | CTU | SM | Litho Laser | Tête 4mm Filtre 1% dose50% (nouvelle lampe LED) | Design : SUCRE_Ge_44m_v1
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09/12/2015 | CTU | SM | Inversion résine | récuit insolation pleine plaque développement | récuit 120° - 2minutes insolation aligneur double face 12s Développement 35s AZ developer+ EDI (1:1) |
09/12/2015 | CTU | SM
| Gravure RIE AV | SF6 - CHF3 (5 Sccm- 50Sccm) 20mTorr, 100W | Temps = 10 minutes |
CTU | SM | Gravure RIE AV | O2 | Temps= 2m? (Retrait résine) | |
09-12/2015 | CTU | SM | Retrait résine | Acétone | 2 minutes |
12-2015 | CSNSM | SM | Test cryo | Tc=75mK | Ge collé sur un wafer de Si de 2" avec de la AZ5214. Wafer décollé lors du cyclage thermique |
07/01/2016 | CTU | SM | Collage sur wafer Si 2" | deux goutes au centre du wafer, pas de spin récuit 115°C, 2 minutes | |
CSNSM | LD | Décapage + Evap a-GeH + Al | a-GeH : 500A Al : 1000A | Pleine plaque | |
CSNSM | LD | Evap SiO + Au | SiO : Au : 2000A | Fuite thermique avec masque métalique (vieux masque commandé par Youri) |
Fichier | Taille | Date | Attaché par | |||
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Ge44_t4_200pA.png Aucune description | 467.39 Ko | 12:06, 7 Jan 2016 | Stefanos_Marnieros | Actions | ||
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