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Ge 44mm Test 4
Ge 44mm Test 4Edit

    Sommaire
    aucun titre

     

    Date Labo Intervenant Technologie Caractéristiques Remarques - Masque

     

       

    Wafer Ge 44mm

    poli-etché  

    08/12/15

    CSNSM LB + SM co-évap NbSi 13,8% 300A  
    08/12/2015 CTU SM Collage wafer Ge sur wafer Si 2 pouces  

    résine AZ5214

    récuit 105°C

    08/12/2015 CTU SM Enrésinement pour gravure NbSi

     AZ5214

    (en inversion de masque - négative)

    spin résine + prérecuit (105° 60s)

     

    08/12/2015 CTU SM Litho Laser

    Tête 4mm

    Filtre 1% dose50% (nouvelle lampe LED)

    Design : SUCRE_Ge_44m_v1

     

    09/12/2015 CTU SM Inversion résine

    récuit

    insolation pleine plaque

    développement

    récuit 120° - 2minutes

    insolation aligneur double face 12s

    Développement 35s  AZ developer+ EDI (1:1)

    09/12/2015 CTU

    SM

     

    Gravure RIE AV

    SF6 - CHF3

    (5 Sccm- 50Sccm)

    20mTorr, 100W

    Temps = 10 minutes

      CTU SM Gravure RIE AV O2

    Temps= 2m?

    (Retrait résine)

    09-12/2015 CTU SM Retrait résine Acétone 2 minutes
    12-2015 CSNSM SM Test cryo Tc=75mK

    Ge collé sur un wafer de Si de 2" avec de la AZ5214. Wafer décollé lors du cyclage thermique

    07/01/2016 CTU SM Collage sur wafer Si 2"  

    deux goutes au centre du wafer, pas de spin

    récuit 115°C, 2 minutes

      CSNSM LD Décapage + Evap a-GeH + Al

    a-GeH : 500A

    Al : 1000A

    Pleine plaque
      CSNSM LD Evap SiO + Au

    SiO :

    Au : 2000A

    Fuite thermique avec masque métalique (vieux masque commandé par Youri)
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