Ge100_1
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Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
			Cristal Ge diamètre 46, hauteur 9	poli-etché	Polissage médiocre sur les deux faces
08/01/2016	CSNSM	LB + LD	co-évap NbSi	13,8% 300A
11/01/2016	CTU	SM	Enrésinement pour gravure NbSi	AZ5214 (en inversion de masque - négative)	spin sur tournette pour masques 3 pouces avec scotch prérecuit (110° 90s)
11/01/2016	CTU	SM	Litho Laser	Tête 4mm Filtre 1% dose50% (nouvelle lampe LED)	Design : SUCRE_Ge_44m_v1
	CTU	SM	Inversion résine	récuit insolation pleine plaque développement	récuit 120° - 2minutes insolation aligneur double face 12s Développement 35s AZ developer+ EDI (1:1)
	CTU	SM	Gravure RIE AV	SF6 - CHF3 (5 Sccm- 50Sccm) 20mTorr, 100W	Temps = 10 minutes
	CTU	SM	Gravure RIE AV	O2	Temps= 2m? (Retrait résine)
	CTU	SM	Retrait résine	Acétone	2 minutes
	CSNSM	SM	Test cryo	Tc=75mK	Ge collé sur un wafer de Si de 2" avec de la AZ5214. Wafer décollé lors du cyclage thermique
	CTU	SM	Collage sur wafer Si 2"		deux goutes au centre du wafer, pas de spin récuit 115°C, 2 minutes
	CSNSM	LD	Décapage + Evap a-GeH + Al	a-GeH : 500A Al : 1000A	Pleine plaque
	CSNSM	LD	Evap SiO + Au	SiO : Au : 2000A	Fuite thermique avec masque métalique (vieux masque commandé par Youri)
12/2016	CSNSM		Fin de process		Crystal utilisé comme cible évaporation a-Ge:H après etchning pour enlever les dépôts