Saphir 20x30 Test 3
Saphir 20x30 Test 3Edit

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Date	Labo	Intervenant	Technologie	Caractéristiques	Remarques - Masque
	CSNSM	LB	Saphir 20x30	poli 2 faces	Netoyage CSNSM
05/11/15	CSNSM	LB + SM	co-évap NbSi	14% 300A	4 plaquettes 20x30 Pas de décapage ionique (Pas de pb pour la soudure aux ultrasons sur le NbSi en fin de process)
18/11/2015	CTU	SM	Enrésinement pour gravure NbSi	AZ5214 (en inversion de masque - négative)	spin résine + prérecuit (105° 60s)
18/11/2015	CTU	SM	Litho Laser	Tête 4mm Filtre 1% dose50% (nouvelle lampe LED)	Design : SUCRE_Test_20x30_v1_Laser
18/11/2015	CTU	SM	Inversion résine	récuit insolation pleine plaque développement	récuit 120° - 2minutes insolation aligneur double face 12s Développement 35s AZ developer+ EDI (1:1)
19/11/2015	CTU	SM	Gravure humide NbSi	HF:HNO3:H20 (1:1:20)	Temps =3 minutes La gravure s'infiltre sous la résine de manière inhomogène. Les motifs <8microns sont disparus
19/11/2015	CTU	SM	Retrait résine	Acétone