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Si 2p 45A 1
Si 2p 45A 1Edit

    Sommaire
    aucun titre
    Date Labo Intervenant Technologie Caractéristiques Remarques - Masque

     

       

    Wafer Si 2 pouces

    poli-etché 2 faces  

    17/05/16

    CSNSM LB + SM co-évap NbSi+Al

    NbSI : 18% 45A

    Al : 1000A

     
    19/05/2016 CTU SM Enrésinement pour gravure Al+NbSi

     AZ5214

    (en inversion de masque - négative)

    spin résine + prérecuit (105° 60s)

     

    19/05/2016 CTU SM Litho Laser

    Tête 4mm

    Filtre 1% dose 80% (nouvelle lampe LED)

    Design : SUCRE_Si_2p_v1 (niveau1)

     

    19/05/2016 CTU SM Inversion résine

    récuit

    insolation pleine plaque

    développement

    récuit 120° - 2minutes

    insolation aligneur double face 12s

    Développement 50s  AZ developer+ EDI (1:1)

    Les lignes de 1 et 2 microns ne sortent pas. Resine en casquette de 1 nmicron

    20/05/2016 CTU

    SM

    Gravure humide Al Alu-etch

    Temps = 1m15" (1000A)

    Gravure pour separer les films

    20/05/2016 CTU SM Retrait resine

    Acetone + Ultrasons

    + isopropanol

    2 minutes

    Petits dépots de résine qui ne partent pas

    20/05/2016 CTU SM Gravure NbSi au XeF2 Pas de resine, (masquage par l'Al)

    25 cycles 3T 15s

    20/05/2016 CTU SM Enrésinement pour gravure Al S1805

    spin résine + prérecuit (115° 90s)

    20/05/2016 CTU SM Litho Laser

    Tête 4mm

    Filtre 1% dose 80% (nouvelle lampe LED)

    Design : SUCRE_Si_2p_v1 (niveau2)

    Développement 25s,  351 + EDI (1:4)

    20/05/2016 CTU SM Gravure humide Al Alu-etch

    Temps = 1m15" (1000A)

    Gravure pour obtenir le film NbSi

    20/05/2016 CTU SM Retrait resine

    Acetone + Ultrasons

    + isopropanol

    2 minutes
      CSNSM SM Test cryo    
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