Liste des échantillons
Des résultats
Mesures R(T) sur Rx_2mm_12 : Problème de contact entre NbSi et Alu.
Rx_2mm_13, process identique à Rx_2mm_12 mais décapage augmenté (en temps ou en intensité, voir avec Delphine et Louis)
Rx_2mm_14, étape pavé remplacée par un métal fin qui ne s'oxyde pas, par exemple un dépot d'Iridium 200A qui précède le dépôt de NbSi.
Rx_12 étudié lors du Run 34 : 6 géométries x 4 recuits.
Caractéristiques géométriques du senseur NbSi et Spécifications du détecteur
6 TES vont être étudiés : Sur Si (2mm*2mm*300microns)/SiN PECVD 50nm
| L (microns) | l (microns) | Résistance à l'état normal (MOhm) | Rapport capacité calorifique du senseur/ capacité calorifique de l'absorbeur | Sensibilité (dT) pour une raie de 4 keV (mK) | Sensibilité (dT) pour une raie de 15 keV (mK) | Temps de décroissance des impulsions | |
| Dispo 1 | 18640 | 3 | 200A : 5,9 300A : 3,8 500A : 2,4 | 200A : 0,3-0,8 300A : 0,4-1,2 500A : 0,7-2,1 | 200A : 3,8-11,4 300A : 2,5-7,6 500A : 1,5-4,6 | 200A : 14,3-42,9 300A : 9,5-28,6 500A : 5,7-17,2 | 0.8-1.8 ms |
| Dispo 2 | 26404 | 5 | 200A : 5,0 300A : 3,3 500A : 2,1 | 200A : 0,7-2 300A : 1-2,9 500A : 1,6-4,9 | 200A : 1,6-4,8 300A : 1,1-3,2 500A : 0,6-1,9 | 200A : 6,1-18,2 300A : 4,0-12,1 500A : 2,4-7,3 | 1-3.5 ms |
| Dispo 3 | 25734 | 5 | 200A : 4,9 300A : 3,1 500A : 2,0 | 200A : 1,3-3,8 300A : 1,9-5,7 500A : 3,2-9,6 | 200A : 0,8-2,5 300A : 0,6-1,7 500A : 0,3-1,0 | 200A : 3,1-9,3 300A : 2,1-6,2 500A : 1,2-3,7 | 1.3-6,2 ms |
| Dispo 4 | 49265 | 9 | 200A : 5,2 300A : 3,3 500A : 2,1 | 200A : 2,2-6,6 300A : 3,3-9,9 500A : 5,5-16,5 | 200A : 0,5-1,4 300A : 0,3-1,0 500A : 0,2-0,6 | 200A : 1,8-5,4 300A : 1,2-3,6 500A : 0,7-2,2 | 1.9-10,3 ms |
| Dispo5 | 76945 | 5 | 200A : 1,5 300A : 9,4 500A : 6,0 | 200A : 1,9-5,7 300A : 2,9-8,6 500A : 4,8-14,3 | 200A : 0,6-1,7 300A : 0,4-1,1 500A : 0,2-0,7 | 200A : 2,1-6,2 300A : 1,4-4,2 500A : 0,8-2,5 | 1.7-9 ms |
| Dispo 6 | 76945 | 15 | 200A : 4,9 300A : 3,1 500A : 2,0 | 200A : 1,9-5,7 300A : 2,9-8,6 500A : 4,8-14,3 | 200A : 0,2-0,6 300A : 0,1-0,4 500A : 0,1-0,2 | 200A : 0,7-2,1 300A : 0,5-1,4 500A : 0,3-0,8 | 3.9-25,8 ms |
Rapport des capacitées calorifique du senseur et de l'absorbeur en fonction de la chaleur spécifique du NbSi(13,5%-qq100A) à 65mK qui reste à déterminer précisément.
Fichier excel Version du 12/09/13
Contraintes
Choix de l'épaisseur du NbSi :
Pour optimiser le rapport signal/bruit choisir 0,3<Cthermo/Cabsorbeur<3 pour les dispo 1à6, à l'exception du dispo5 pour lequel nous testons un rapport des capacités calorifiques = 10.
Fabrication des méandre du NbSi :
la largueur du méandre ne doit pas être trop faible : les bords ne sont pas très bien contrôlés en litho optique.
Dépôt de SiN assez épais pour avoir un film continue. Question à poser à F.Maillard
Perte de la supra en dessous d'une certaines épaisseur du film du NbSi.
...
Design
Sur un wafer 2" : 63 dispo de type 1,3,4 et 6. 62 dispo de type 2 et 5.
Wafer 2"
TES 1
TES 2
TES 3
TES 4
TES 5
TES 6
Fichier gds Version du 12/09/13
Order form (pour TOPPAN)
Etapes de fabrication
Sur wafer 2" Si (300microns)
- Dépôt SiN PECVD (50nm)
- Lift-off TES (NbSi,(250A,13,5%)/sans SiO)
- Lift-off Chauffage (Au A)
- Décapage ionique de l'oxyde
- Lift-off pré-contact (décapage Ar/Al( 1000A))
- Gravure Deep RIE Membranes pleines (Si-bulk)
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Fichiers 2
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