Process 2 wafers pour tests multilayers en proximité
Wafers batch 2451
PEKID1
Step 1 : inverted resist spin, exposure, develop, clean
bake wafer 1' @ 110°C (solvent evaporation) spin AZ5214E (batch x from IEF, per 20/01/2014) 60" @ 4krpm bake 1' @ 110°C Expo 25mJ/cm2 @ 365nm, Vac contact bake 2' @ 125°C (=setpoint) Flood expo 300mJ/cm2 @ 365nm Dev MIF726 45" @ 19.0°C, rinse ODI 60" beaker + 30" water tap Clean O2 plasma, 30", 100W, 200µb
Dice in scriber, pieces of 19.9x29.9mm
Step 2 : evap
evap Louis, evaporateur bolo
2 plaquettes (les 2 autres ont été cassées) avec 4 compositions différentes:
- Ir : 1.5 - 2.5 - 4 - 7 nm / Al 28.5 - 27.5 - 26- 23 nm
- Ti : 3 - 5 - 8 - 14 nm / Al 27 - 25 - 22 - 16 nm
Fichier | Taille | Date | Attaché par | |||
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2014-08 PEKID0 Louis Ir.zip images optiques de matrices Ir/Al et Al/Ir renvoyées par Neel après mesures pour comparaison (pb accroche Ir) | 14.64 Mo | 18:13, 9 Jan 2015 | Helene_Le_Sueur | Actions | ||
2014-09 PEK1ab.zip images optiques de la plaquette saphir témoin | 7.79 Mo | 15:22, 10 Fév 2015 | Helene_Le_Sueur | Actions | ||
2014-09 PEKID1ab.zip images optiques de résonateurs Ir/Al fabriqués CSNSM sur motifs CPB | 4.1 Mo | 18:11, 9 Jan 2015 | Helene_Le_Sueur | Actions | ||
2014-09-16_cahier-evap.JPG cahier evap Louis | 651.47 Ko | 09:54, 31 Jan 2015 | Helene_Le_Sueur | Actions |
Images 1 | ||
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cahier evap Louis2014-09-16_cahier-evap.JPG |